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酸化亜鉛系薄膜の成長方法

シーズコード S100001856
掲載日 2010年10月6日
研究者
  • 藤田 恭久
技術名称 酸化亜鉛系薄膜の成長方法
技術概要 有機金属気相成長(MOCVD)装置は、リアクタ10内に設けられ、加熱されたサセプタ12上には、単結晶基板13が設置される。原料ガスとしての亜鉛原料および酸素原料をキャリアガスでバブリングさせ、キャリアライン14を介してリアクタ10内に供給することにより、原料ガスが単結晶基板13上で分解してZnO薄膜が成長する。亜鉛原料としては、ジメチル亜鉛((CHZn)またはジイソプロピル亜鉛((i-CZn)を用い、酸素原料としてはイソプロピルアルコール(i-COH)を用いる。また、キャリアガスとしては、窒素または水素を用いる。エピタキシャル成長させる成長温度は、300℃以上400℃未満に限定される。300℃未満の場合には、原料ガスの分解が不十分なため実用的な成長温度が得られない。また、未分解のアルキル基が膜中に混入して結晶性を乱すため、高品質な薄膜を成長するのが困難となる。一方、400℃を越えると酸素空孔が増加して、酸素空孔による欠陥がp型伝導を補償し、低抵抗のp型ZnO薄膜が得られない。
画像

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研究分野
  • 酸化物薄膜
  • 薄膜成長技術・装置
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 表面平坦性に優れるとともに、酸素欠損の少ない高品質で高純度な酸化亜鉛系薄膜を得る。
表面平坦性に優れるとともに、酸素欠損の少ない高品質で高純度な酸化亜鉛系薄膜を、有機金属気相成長法により低温でエピタキシャル成長させることで得られる。
用途利用分野 酸化亜鉛系薄膜、光デバイス、酸化亜鉛系発光素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人島根大学, . 藤田 恭久, . 酸化亜鉛系薄膜の成長方法. 特開2004-040054. 2004-02-05
  • H01L  21/365    
  • H01L  33/00     

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