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結晶成長方法および装置

シーズコード S100001908
掲載日 2010年10月6日
研究者
  • 熊川 征司
  • 早川 泰弘
技術名称 結晶成長方法および装置
技術概要 結晶の溶液4より結晶13を成長させる方法である。この場合、成長させる結晶13の少なくとも1つの構成元素からなる成分溶液6を、又は成長させる結晶13へ導入するべき不純物元素からなる不純物溶液を、超音波によって結晶溶液4へ供給しながら、結晶溶液4より結晶13を成長させる。結晶成長装置は、結晶の溶液から結晶13を成長させるための第1の容器(例えば、炭素からなる内ルツボ)1と、第1の容器1と連通し、成長させる結晶13の少なくとも1つの構成元素からなる成分溶液6を収容するための、又は成長させる結晶13へ導入するべき不純物元素からなる不純物溶液を収容するための、第2の容器(炭素からなる外ルツボ)2と、第2の容器2から第1の容器1へ成分溶液6を送るように超音波を発生させるための超音波発生装置3とを備える。超音波振動の出力を変えることで結晶溶液に供給される成分溶液の量を変えることができ、組成を変えることができる。
画像

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thum_1998-071576.gif
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 結晶を成長させる際に、超音波振動を加えながら成分溶液を結晶溶液へ供給することにより、容易に所望の組成の結晶を得ることが可能な、並びに、容易に所望の不純物濃度を有する結晶を得ることが可能な、結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
結晶成長及び測定を一度行うだけで、容易に所望の組成又は不純物濃度の結晶を得ることが可能となり、結晶の製造コストを減少させること等が可能になる。
用途利用分野 半導体結晶成長装置、絶縁物結晶成長装置、三元混晶半導体、高温超伝導体用絶縁物
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 熊川 征司, 早川 泰弘, . 結晶成長方法および装置. 特開平11-268988. 1999-10-05
  • C30B  15/02     
  • C30B  15/12     
  • C30B  29/06     
  • C30B  29/40     

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