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高品質結晶成長方法

シーズコード S100001910
掲載日 2010年10月6日
研究者
  • 早川 泰弘
  • 熊川 征司
技術名称 高品質結晶成長方法
技術概要 高品質結晶成長方法は、基板1上にSiNx等の結晶成長防止膜2を形成する工程(a)と、結晶成長防止膜の一部を選択的に除去して基板を露出させ、露出した基板表面を更に除去して溝5を形成する工程(f)と、成長させる結晶の溶液30を基板に接触させて、少なくとも溝に面する基板の側面7に成長溶液の元素を混入させ、側面の組成を変換する工程と、成長溶液の温度を下げて、組成変換した基板側面(11)から結晶を成長させる工程とを具備する。又は、溝を形成する工程のあと、溝に面する基板の底面6に、更に結晶成長防止膜8を形成する工程(k)を含む。好ましくは、組成変換前の基板と、組成変換した基板側面から成長させる結晶との組み合わせが、InAs基板とInGaAs結晶、InP基板とInGaP結晶、InSb基板とInGaSb結晶、InN基板とInGaN結晶、又はZnSe基板とZnSSe結晶とである。また基板の表面に形成する溝の深さを40μm以上とし、組成変換した基板側面から結晶をブリッジ状に成長させる。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜一般
展開可能なシーズ 基板と格子定数が大きく異なる高品質な結晶の成長方法を提供する。
任意の組成を持つ欠陥の少ない良質な結晶層を成長させることができ、太陽電池を含む高効率の熱光起電デバイスを作製できる。
用途利用分野 熱光起電デバイス、太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 早川 泰弘, 熊川 征司, . 高品質結晶成長方法. 特開2001-316197. 2001-11-13
  • C30B  19/12     
  • C30B  29/40     

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