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半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子

シーズコード S100001911
掲載日 2010年10月6日
研究者
  • 角谷 正友
  • 福家 俊郎
  • 吉村 克彦
技術名称 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子
技術概要 ペロブスカイト構造を有する(La0.Sr0.)(Al0.Ta0.)O組成の単結晶材料からなる基板上に、AlN下地層を、好ましくは9~18nmの厚さに形成する。次いで、このAlN下地層上に、好ましくは700~1100℃の温度で、GaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。このAlN下地層は、GaN単結晶層を形成する際に使用するアンモニアガスと基材との反応を阻止するように機能する。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。
簡易な方法によって低転位密度の結晶性に優れたGaN単結晶層を具える半導体素子を得ることができ、この半導体素子を発光デバイス又は受光デバイスとして用いた場合に、それらを長命化することができる。
用途利用分野 発光デバイス、トランジスタ、太陽電池、光センサ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人静岡大学, . 角谷 正友, 福家 俊郎, 吉村 克彦, . 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子. 特開2002-037698. 2002-02-06
  • C30B  29/22     
  • C30B  29/38     
  • H01L  31/04     
  • H01L  31/10     
  • H01L  33/00     

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