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Specification :(In Japanese)フォトニック結晶導波路

Country (In Japanese)日本国特許庁(JP)
Gazette (In Japanese)特許公報(B2)
Patent Number P4956741
Publication number P2008-040230A
Date of registration Mar 30, 2012
Date of issue Jun 20, 2012
Date of publication of application Feb 21, 2008
Title of the invention, or title of the device (In Japanese)フォトニック結晶導波路
IPC (International Patent Classification) G02B   6/12        (2006.01)
FI (File Index) G02B 6/12 Z
Number of claims or invention 7
Total pages 13
Application Number P2006-215608
Date of filing Aug 8, 2006
Exceptions to lack of novelty of invention (In Japanese)特許法第30条第1項適用 (1)刊行物での発表 刊行物名 電子情報通信学会2006年総合大会講演論文集 発行日 2006年3月8日 発行所 社団法人 電子情報通信学会 該当頁 216頁 著者名 磯田 真寛、堤 喜代司 発表題目 フォトニック結晶光導波路における放射性ガイドを用いた終端反射の低減 (2)研究集会での文書発表 研究集会名 電子情報通信学会2006年総合大会(C-3 光エレクトロニクス) 主催者名 社団法人 電子情報通信学会 開催日 2006年3月24日~27日 開催場所 国士舘大学世田谷キャンパス 発表日 2
Date of request for substantive examination Jul 13, 2009
Patentee, or owner of utility model right (In Japanese)【識別番号】504255685
【氏名又は名称】国立大学法人京都工芸繊維大学
Inventor, or creator of device (In Japanese)【氏名】磯田 真寛
【氏名】堤 喜代司
Representative (In Japanese)【識別番号】100101454、【弁理士】、【氏名又は名称】山田 卓二
【識別番号】100081422、【弁理士】、【氏名又は名称】田中 光雄
【識別番号】100091465、【弁理士】、【氏名又は名称】石井 久夫
【識別番号】100100479、【弁理士】、【氏名又は名称】竹内 三喜夫
Examiner (In Japanese)【審査官】吉田 英一
Document or reference (In Japanese)特開2004-109269(JP,A)
特開2005-181950(JP,A)
特開2003-270458(JP,A)
特開2002-071981(JP,A)
特開2003-315572(JP,A)
特開2006-184909(JP,A)
磯田真寛、堤喜代司,フォトニック結晶光導波路における放射性ガイドを用いた終端反射の低減,2006年電子情報通信学会総合大会講演論文集,日本,社団法人電子情報通信学会 ,2006年 3月 8日,エレクトロニクス1,p. 216
Field of search G02B 6/12
JSTPlus(JDreamII)
JST7580(JDreamII)
Scope of claims (In Japanese)【請求項1】
格子が周期的に配列したフォトニック結晶と、
フォトニック結晶内に線欠陥を導入して構成され、光が該線欠陥に沿って進行する導波路と、
該導波路の端面から突出して設置され、該導波路から光を導入し、導入した光を放射波として外部に放射して減衰することにより、該導波路の該端面での光の終端反射を低減する放射性ガイドとを備え、
該放射性ガイドは、該導波路を光が進行する光軸方向に垂直な方向に配列した格子数導波路部と比べて放射性ガイドの方が少ないことを特徴とするフォトニック結晶導波路。
【請求項2】
放射性ガイドは、両側1列の格子列で構成されることを特徴とする請求項1記載のフォトニック結晶導波路。
【請求項3】
放射性ガイドは、両側複数の格子列で構成されることを特徴とする請求項1記載のフォトニック結晶導波路。
【請求項4】
両側複数の格子列で構成された放射性ガイドにおいて、導波路の光軸方向に沿った格子数は、内側格子列と比べて外側格子列の方が少ないことを特徴とする請求項3記載のフォトニック結晶導波路。
【請求項5】
放射性ガイドは、一方の片側の格子列数が、他方の片側の格子列数より少ないことを特徴とする請求項1記載のフォトニック結晶導波路。
【請求項6】
フォトニック結晶内に、第1の線欠陥と第2の線欠陥が近接配置して構成される方向性結合器を備え、該方向性結合器に連結した導波路の端面に前記放射性ガイドが設置されていることを特徴とする請求項1記載のフォトニック結晶導波路。
【請求項7】
フォトニック結晶が3次元フォトニック結晶であって、放射性ガイドは、光軸方向に関して所定の周方向に配列した格子数が減少している領域を有することを特徴とする請求項1記載のフォトニック結晶導波路。
Detailed description of the invention (In Japanese)【技術分野】
【0001】
本発明は、光集積回路等に応用可能なフォトニック結晶導波路に関する。
【背景技術】
【0002】
フォトニック結晶は、周期的な屈折率分布をもつ機能材料であり、光や電磁波の波長オーダーの周期で格子が整列することによりブラッグ反射条件が成立して、いわゆるフォトニックバンドギャップ(禁止帯)を形成する。
【0003】
こうしたフォトニック結晶に線欠陥を導入すると、その領域に光が強く閉じ込められ、光についての微小な導波路を形成することができる。また、フォトニック結晶に点欠陥を導入すると、光についての微小な共振器を形成することができる。
【0004】
図14は、従来のフォトニック結晶導波路の一例を示す平面図である。フォトニック結晶PCは、多数の格子Bがxy面内に三角格子状に配列した2次元フォトニック結晶である。
【0005】
このフォトニック結晶PCの内部に線欠陥を導入することによって、導波路10が形成されている。フォトニック結晶PCは、界面11において大気等の外部媒体20と接合している。導波路10の出力端は、界面11で外部媒体20に連結しており、導波路10の入力端は、結晶内部に形成された光回路(不図示)に連結している。
【0006】
この導波路10に沿って、光L1がx方向に進行して界面11に到達すると、その大部分は光L2として外部媒体20に進入するが、その一部は光L3として結晶内部に向かって反射する。こうした終端反射は、界面11における急激な構造変化に起因するものであり、反射した光L3はノイズ光となって、内部の光回路の機能を低下させたり、悪影響を及ぼすことがある。
【0007】

【特許文献1】特開2004-109269号公報
【非特許文献1】John D. Joannopoulos, Robert D. Meade, and Joshun N. Winn, "Photonic Crystals", Princeton University Press, 1995
【非特許文献2】廣瀬泰光、上林利生、「三角格子PBG導波路の入出力特性の解析」、電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C-3-92, 2004
【非特許文献3】徳島正敏、牛田淳、五明明子、「ピラー型正方格子フォトニック結晶線欠陥導波路の群遅延測定」、電子情報通信学会総合大会、C-3-80, 2006
【非特許文献4】宇野亨、「FDTD法による電磁界およびアンテナ解析」、コロナ社、1998
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上記の非特許文献2では、フォトニックスラブ導波路の入出力部に無反射(AR)コーティングを設けたり、出力端形状をレンズ状にすることにより、反射を低減する試みが提案されている。
【0009】
本発明の目的は、比較的簡単な構造を用いて、導波路の終端反射を大幅に低減できるフォトニック結晶導波路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本発明に係るフォトニック結晶導波路は、格子が周期的に配列したフォトニック結晶と、
フォトニック結晶内に線欠陥を導入して構成され、光が該線欠陥に沿って進行する導波路と、
該導波路の端面から突出して設置され、該導波路から光を導入し、導入した光を放射波として外部に放射して減衰することにより、該導波路の該端面での光の終端反射を低減する放射性ガイドとを備え、
該放射性ガイドは、該導波路を光が進行する光軸方向に垂直な方向に配列した格子数導波路部と比べて放射性ガイドの方が少ないことを特徴とする。

【0011】
本発明において、放射性ガイドは、両側1列の格子列で構成されることが好ましい。
【0012】
また本発明において、放射性ガイドは、両側複数の格子列で構成されることが好ましい。
【0013】
また本発明において、両側複数の格子列で構成された放射性ガイドにおいて、導波路の光軸方向に沿った格子数は、内側格子列と比べて外側格子列の方が少ないことが好ましい。
【0014】
また本発明において、放射性ガイドは、一方の片側の格子列数が、他方の片側の格子列数より少ないことが好ましい。
【0015】
また本発明において、フォトニック結晶内に、第1の線欠陥と第2の線欠陥が近接配置して構成される方向性結合器を備え、該方向性結合器に連結した導波路の端面に前記放射性ガイドが設置されていることが好ましい。

【0016】
また本発明において、フォトニック結晶が3次元フォトニック結晶であって、放射性ガイドは、光軸方向に関して所定の周方向に配列した格子数が減少している領域を有することが好ましい。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、導波路の端面から突出して設置され、導波路から光を導入し、導入した光を放射波として外部に放射して減衰することにより、導波路の端面での光の終端反射を低減する放射性ガイドを設け、該光軸方向に垂直な方向に配列した格子数は、導波路内部と比べて放射性ガイドの方が少なくなるように設計している。これにより導波路の出力端における急激な構造変化を緩和して、放射性ガイドの周辺から光がエバネッセント波となって徐々に漏れ出すようになり、結晶内部に向って進行する反射光を大幅に低減できる。


【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
図1は、各種フォトニック結晶を示す斜視図である。図1(a)は、x方向に周期的な屈折率分布をもつ1次元フォトニック結晶を示す。図1(b)は、x方向およびz方向に周期的な屈折率分布をもつ2次元フォトニック結晶を示す。図1(c)は、x方向、y方向およびz方向に周期的な屈折率分布をもつ3次元フォトニック結晶を示す。
【0019】
こうしたフォトニック結晶は、空間に多数の実格子を配列したタイプと、母材に多数の空格子を配列したタイプとがあり、いずれも周期的な屈折率分布を有することにより、1次元方向、2次元方向あるいは3次元方向についてのブラッグ反射条件が成立する。
【0020】
図2は、線欠陥による導波路形成の様子を示す斜視図である。1つの格子Bがy方向に平行な円柱形状をなし、多数の格子Bがxz面内で三角格子状に配列することによって2次元フォトニック結晶PCを構成している。
【0021】
こうしたフォトニック結晶PCにおいて、x方向に沿った1列分の格子Bを除去して、1列分の線欠陥Dを設けることによって、図2(b)に示すように、光Lが通過する導波路10を形成することができる。
【0022】
例えば、格子Bを構成する円柱がGaAs結晶(比誘電率ε=11.4)で形成され、円柱半径が0.113μmで、円柱の中心間距離が0.563μmである場合、波長1.5μmの光についてブラッグ反射条件が成立し、さらに1列分の線欠陥Dを設けることにより波長1.5μmの光についての導波路10が形成される。
【0023】
図3は、本発明の第1実施形態を示す平面図である。フォトニック結晶PCは、多数の格子Bがxy面内に三角格子状に配列した2次元フォトニック結晶である。このフォトニック結晶PCの内部に線欠陥を導入することによって、x方向に沿った光軸を有する導波路10が形成されている。フォトニック結晶PCは、界面11において大気等の外部媒体20と接合している。
【0024】
放射性ガイド21は、界面11から導波路10の光軸方向に沿って突出している。光軸方向に垂直なy方向に配列した格子数は、導波路10の内部と比べて放射性ガイド21の方が少なくなるように設計している。
【0025】
導波路10の出力端は、放射性ガイド21と連結しており、導波路10の入力端は、結晶内部に形成された光回路(不図示)に連結している。
【0026】
導波路10に沿って、光L1がx方向に進行して放射性ガイド21に進入すると、放射性ガイド21の周辺から光L4がエバネッセント波となって外部媒体20へ向けて徐々に漏れ出すようになる。また、放射性ガイド21に進入した光L2は、徐々に減衰して、放射性ガイド21の末端に到達するまでに光強度はゼロになる。従って、結晶内部に向って進行する反射光を大幅に低減することができる。
【0027】
本実施形態では、放射性ガイド21を両側1列の格子列で構成しているため、光L4が速やかに外部へ漏出するようになる。その結果、光L2も速やかに減衰するため、放射性ガイド21のx方向長さを短くできる。
【0028】
なお、本実施形態では、2次元フォトニック結晶に、両側1列の格子列で構成された放射性ガイド21を設けた例を説明したが、3次元フォトニック結晶の場合、1列分の格子列が円筒状に配列された放射性ガイドを設けることによって同様な効果が得られる。
【0029】
次に、この放射性ガイド21の動作についてFDTD(Finite Difference Time Domain)法(時間領域差分法)を用いて数値解析した結果を説明する。
【0030】
図4は、FDTD法による解析結果の一例を示す説明図である。なお、図4自体は、平面波展開法によりフォトニックバンドギャップを求めたものである。フォトニック結晶として、真空(ε=1)背景中にGaAs結晶(ε=11.4)、半径r=0.1126μmの誘電体円柱を格子間隔a=0.563μmで三角格子状に配列したものを使用し、図3に示すように、x方向に沿って1列分の格子列を除去することによって導波路の性質を付与した。
【0031】
2次元フォトニック結晶での光の偏光モードには、円柱に沿ったy方向に磁界成分、x方向およびz方向に電界成分を有するTE(Transverse Electric)モードと、y方向に電界成分、x方向およびz方向に磁界成分を有するTM(Transverse Magnetic)モードがある。ここでは、光の偏光モードをTMモードとし、波長1.45~1.7μmについて波長特性を解析した。FDTD法の空間セルサイズは、38.5nmとし、時間ステップは、9.1×10-17秒とした。吸収境界条件としては、完全整合層(PML:Perfectly Matched Layer)を用い、PML層数24とし、導電率次数2とした。
【0032】
その結果、図4の白抜き線で示すように、格子間隔aで規格化した半径(r/a)が0.2において、規格化周波数(ωa/2πc)が約0.3~約0.45に該当する波長を持つ光は、TMモードで線欠陥導波路において導波されることが判った。
【0033】
図5は、比較例として放射性ガイド無しの導波路について解析した結果を示すもので、図5(a)は放射性ガイド無しの導波路の平面図、図5(b)は導波路の模式図、図5(c)~(e)はパルス光の時間変化を描写した画像である。
【0034】
フォトニック結晶は、図4と同じ条件で誘電体円柱を三角格子状に配列したものであり、x方向に沿って1列分の格子列を除去することによって導波路を形成している。FDTD法の解析条件も図4と同じ条件であり、光の波長は1.45μmとした。
【0035】
まず、初期条件に従ってパルス光が導波路に沿ってx方向に進行すると、109fs(フェムト秒)の時間経過後に、図5(c)に示すように、導波路10を中心として上下方向にエバネッセント波がしみ出すような光強度分布を示す。さらに、218fsの経過後は、図5(d)に示すように、パルス光が導波路10の出力端を通過して、外部媒体20に向けて放射されている。さらに、309fsの経過後は、終端反射による光が導波路10を-x方向に進行している。
【0036】
従って、放射性ガイド無しの導波路では、導波路の出力端において結晶内部に向かって進行する反射光が発生することが判る。
【0037】
図6は、本発明の第1実施形態に係る放射性ガイド有りの導波路について解析した結果を示すもので、図6(a)は放射性ガイド有りの導波路の平面図、図6(b)は導波路の模式図、図6(c)~(e)はパルス光の時間変化を描写した画像である。FDTD法の解析条件は、図5のものと同じである。
【0038】
まず、初期条件に従ってパルス光が導波路に沿ってx方向に進行すると、109fs(フェムト秒)の時間経過後に、図6(c)に示すように、導波路10を中心として上下方向にエバネッセント波がしみ出すような光強度分布を示す。さらに、218fsの経過後は、図6(d)に示すように、パルス光が導波路10の出力端を通過して、放射性ガイド21を通過しながら外部媒体20に漏出している。さらに、309fsの経過後は、光の大部分が消失してしまい、終端反射による反射光は殆ど発生していない。
【0039】
従って、本発明に係る放射性ガイドを備えた導波路では、結晶内部に向かって進行する反射光が殆ど発生しないことが判る。その結果、反射ノイズ光による内部の光回路の機能低下を確実に防止することができる。
【0040】
次に、終端反射による反射率の定量評価について説明する。
【0041】
図7(a)は、反射光のパワー評価領域を示す平面図であり、図7(b)は、終端反射率の波長依存性を示すグラフである。パルス光の時間幅を90fsに設定し、評価式は、下記の式(1)に示すように、各時間ステップにおいてパワー評価領域の全セルの電界の2乗値の和を計算し、それら時間ステップごとの値を足し合わせ、領域を通過する光のエネルギーを求めている。反射率は、反射光のエネルギーを入射パルス光のエネルギーで除算することによって得られる。そして、波長1.45~1.7μmについて終端反射率を計算した。
【0042】
【数1】
JP0004956741B2_000002t.gif

【0043】
その結果、図7(b)に示すように、放射性ガイド無しの導波路(図5)は、約0.17~約0.26の反射率を示した。一方、本発明に係る放射性ガイド21を備えた導波路(図6)は、約0.01~約0.03の反射率を示し、導波路の終端反射を大幅に低減できることが判る。
【0044】
図8(a)は、本発明の第2実施形態を示す平面図であり、図8(b)は、その模式図である。図8(c)は、その終端反射率の波長依存性を示すグラフである。
【0045】
フォトニック結晶PCは、上述と同様に、多数の格子がxy面内に三角格子状に配列した2次元フォトニック結晶である。このフォトニック結晶PCの内部に線欠陥を導入することによって、x方向に沿った光軸を有する導波路10が形成されている。フォトニック結晶PCは、界面11において大気等の外部媒体20と接合している。
【0046】
放射性ガイド22は、界面11から導波路10の光軸方向に沿って突出している。光軸方向に垂直なy方向に配列した格子数は、導波路10の内部と比べて放射性ガイド22の方が少なくなるように設計している。
【0047】
導波路10の出力端は、放射性ガイド22と連結しており、導波路10の入力端は、結晶内部に形成された光回路(不図示)に連結している。
【0048】
本実施形態では、放射性ガイド22を両側複数(ここでは2列)の格子列で構成している。そのため、図6に示した両側1列の格子列のものと比べて、界面11における構造変化がより緩やかになるため、反射光をより低減することができる。
【0049】
また、放射性ガイド22において、x方向に沿った格子数は、内側格子列と比べて外側格子列の方が少なくなるように設計している。そのため、放射性ガイド22のy方向に沿った格子数が徐々に減少するようになり、段差部分での反射光の発生を抑制することができる。
【0050】
図8(c)に示すように、図6に示した放射性ガイド21を備えた導波路と比較すると、本実施形態に係る放射性ガイド22を備えた導波路は、波長1.6~1.7μmにおいて反射率がさらに低下していることが判る。
【0051】
なお、本実施形態では、2次元フォトニック結晶に、両側複数列の格子列で構成された放射性ガイド21を設けた例を説明したが、3次元フォトニック結晶の場合、複数の格子列が円筒状に配列された放射性ガイドを設けることによって同様な効果が得られる。
【0052】
図9(a)は、本発明の第3実施形態を示す平面図であり、図9(b)は、その模式図である。図9(c)は、その終端反射率の波長依存性を示すグラフである。
【0053】
フォトニック結晶PCは、上述と同様に、多数の格子がxy面内に三角格子状に配列した2次元フォトニック結晶である。このフォトニック結晶PCの内部に線欠陥を導入することによって、x方向に沿った光軸を有する導波路10が形成されている。フォトニック結晶PCは、界面11において大気等の外部媒体20と接合している。
【0054】
放射性ガイド23は、界面11から導波路10の光軸方向に沿って突出している。光軸方向に垂直なy方向に配列した格子数は、導波路10の内部と比べて放射性ガイド23の方が少なくなるように設計している。
【0055】
導波路10の出力端は、放射性ガイド23と連結しており、導波路10の入力端は、結晶内部に形成された光回路(不図示)に連結している。
【0056】
本実施形態では、放射性ガイド23は、導波路10を中心として下片側の格子列数が、上片側の格子列数より少なくなるように設計している。典型的には、上片側の格子列がフォトニック結晶PCと連続し、下片側の格子列数は1列のみとした片側放射性ガイド23として構成される。そのため、図6に示した両側1列の格子列のものと比べて、界面11における構造変化がより緩やかになるため、反射光をより低減することができる。
【0057】
図9(c)に示すように、図6に示した放射性ガイド21を備えた導波路と比較すると、本実施形態に係る放射性ガイド23を備えた導波路は、波長1.55~1.7μmにおいて反射率がさらに低下していることが判る。
【0058】
図10は、本発明の第4実施形態を示す平面図である。フォトニック結晶PCは、上述と同様に、多数の格子がxy面内に三角格子状に配列した2次元フォトニック結晶である。フォトニック結晶PCは、界面11において大気等の外部媒体20と接合している。このフォトニック結晶PCの内部に線欠陥を導入することによって、x方向に沿った光軸を有する導波路10が形成されている。
【0059】
本実施形態では、この導波路10に近接するように、例えば、1列の格子列が介在するように、線欠陥からなる第2の導波路12が形成され、方向性結合器15を構成している。
【0060】
放射性ガイド21は、界面11から導波路12の光軸方向に沿って突出している。光軸方向に垂直なy方向に配列した格子数は、導波路12の内部と比べて放射性ガイド21の方が少なくなるように設計している。
【0061】
導波路12の出力端は、放射性ガイド21と連結しており、導波路10の入力端は、結晶内部に形成された光回路(不図示)に連結している。
【0062】
光L1aが導波路10に沿って進行し、方向性結合器15に進入すると、エバネッセント波を介して導波路12にシフトし、光L1bとなってx方向に進行するようになる。光L1bが放射性ガイド21に進入すると、放射性ガイド21の周辺から光L4がエバネッセント波となって外部媒体20へ向けて徐々に漏れ出すようになる。また、放射性ガイド21に進入した光L2は、徐々に減衰して、放射性ガイド21の末端に到達するまでに光強度はゼロになる。従って、結晶内部に向って進行する反射光を大幅に低減することができる。
【0063】
このように方向性結合器15と放射性ガイド21を組合せることによって、多様な終端回路を構成することができる。なお、ここでは、図3に示した放射性ガイド21との組合せについて説明したが、図8に示した放射性ガイド22または図9に示した放射性ガイド23との組合せも容易に実現できる。
【0064】
図11は、本発明の第5実施形態を示す斜視図であり、図12は、導波路の終端付近でのyz面に沿った断面図である。フォトニック結晶PCは、多数の格子が、ブラヴェ格子の単位セル、例えば、立方晶で配列した3次元フォトニック結晶である。フォトニック結晶PCは、界面11において大気等の外部媒体20と接合している。このフォトニック結晶PCの内部に線欠陥を導入することによって、x方向に沿った光軸を有する導波路16が形成されている。
【0065】
導波路16の終端付近は、図12に示すように、導波路16の光軸方向に関して所定の周方向に配列した格子数が減少している領域が設けられ、この格子欠落部分が放射性ガイド24として機能する。ここでは、特定の周方向に配列した1列分の格子列を除去した例を示す。
【0066】
図13は、放射性ガイド24の別の例を示すyz面に沿った断面図である。この放射性ガイド24は、導波路16の光軸方向に関して特定の周方向の角度範囲に渡って格子列を除去することで構成している。
【0067】
いずれの放射性ガイド24においても、光L1が導波路16に沿ってx方向に進行して、放射性ガイド24に進入すると、放射性ガイド24の周辺のうち格子欠落部分から光L4がエバネッセント波となって徐々に漏れ出すようになる。また、格子欠落部分のx方向長さを充分に確保することにより、放射性ガイド24に進入した光は、放射性ガイド24の末端に到達するまでに光強度はゼロになる。従って、結晶内部に向って進行する反射光を大幅に低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【0068】
本発明は、導波路の終端反射を大幅に低減できる点で、産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【0069】
【図1】各種フォトニック結晶を示す斜視図である。
【図2】線欠陥による導波路形成の様子を示す斜視図である。
【図3】本発明の第1実施形態を示す平面図である。
【図4】FDTD法による解析結果の一例を示す説明図である。
【図5】比較例として放射性ガイド無しの導波路について解析した結果を示すもので、図5(a)は放射性ガイド無しの導波路の平面図、図5(b)は導波路の模式図、図5(c)~(e)はパルス光の時間変化を描写した画像である。
【図6】本発明の第1実施形態に係る放射性ガイド有りの導波路について解析した結果を示すもので、図6(a)は放射性ガイド有りの導波路の平面図、図6(b)は導波路の模式図、図6(c)~(e)はパルス光の時間変化を描写した画像である。
【図7】図7(a)は反射光のパワー評価領域を示す平面図であり、図7(b)は終端反射率の波長依存性を示すグラフである。
【図8】図8(a)は本発明の第2実施形態を示す平面図であり、図8(b)はその模式図であり、図8(c)はその終端反射率の波長依存性を示すグラフである。
【図9】図9(a)は本発明の第3実施形態を示す平面図であり、図9(b)はその模式図であり、図9(c)はその終端反射率の波長依存性を示すグラフである。
【図10】本発明の第4実施形態を示す平面図である。
【図11】本発明の第5実施形態を示す斜視図である。
【図12】導波路の終端付近でのyz面に沿った断面図である。
【図13】放射性ガイド24の別の例を示すyz面に沿った断面図である。
【図14】従来のフォトニック結晶導波路の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【0070】
10,12,16 導波路
11 界面
15 方向性結合器
20 外部媒体
21,22,23,24 放射性ガイド
B 格子
D 線欠陥
PC フォトニック結晶


Drawing
(In Japanese)【図1】
0
(In Japanese)【図2】
1
(In Japanese)【図3】
2
(In Japanese)【図4】
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(In Japanese)【図5】
4
(In Japanese)【図6】
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(In Japanese)【図7】
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(In Japanese)【図8】
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(In Japanese)【図9】
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(In Japanese)【図10】
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(In Japanese)【図11】
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(In Japanese)【図12】
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(In Japanese)【図13】
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(In Japanese)【図14】
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