(In Japanese)特開昭50-020744(JP,A) 特開平01-222216(JP,A) 特開2005-300570(JP,A) 特開昭63-223711(JP,A) 特開2000-221345(JP,A) N. Riesen, et al.,"Design of mode-sorting asymmetric Y-junctions",Applied Optics,2012年 5月20日,Vol.51, No.15,p.2778-2783 J.V.Campenhout, et al.,"Low-power, 2x2 silicon electro-optic switch with 110-nm bandwidth for broadband reconfigurable opti,Optics Express,2009年12月21日,Vol.17, No.26,p.24020-24029
【0020】 また、モード間光スイッチ100は、図2(c)及び図2(d)に示すように、基板110(例えば、SOI(silicon on insulator)基板のSi基板)上に積層された第1のクラッド層120(例えば、SOI基板のSiO2層)と、第1のクラッド層120上に積層され、第1のクラッド層120の屈折率よりも屈折率が高い真性(i型)半導体領域131を含む半導体層130(例えば、SOI基板のSi層)と、半導体層130上に積層され、半導体層130の屈折率よりも屈折率が低い第2のクラッド層140(例えば、SiO2層)と、を備える。