国際公開第2006/059615(WO,A1) 特開2012-234915(JP,A) 特開平05-335608(JP,A) 特開2002-208719(JP,A) 特表平06-508477(JP,A) 特開2012-114375(JP,A) 米国特許第05391896(US,A) Chen, et al.,Balance sheets of energy and carriers and subcell characteristics in a GaInP/GaAs/Ge tandem solar cell,Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th,IEEE,2014年 6月,page.1780-1783
【0087】 損失(Loss)は、表中に、「Thermalization」、「Emission to Air」、「Emission to Sub」、「Non-rad. recombi」、および「Junction Loss」の項目に分けて示されている。上述のように、キャリアの再結合損失レートは、輻射再結合損失レートと、非輻射再結合損失レートとに分けられ、輻射再結合損失レートは、光電池の上方空間への光放出に関する再結合損失レートと、下方のサブセルへの光放出に関する再結合損失レートとに分けられる。光電池上方空間への光放出に関する再結合損失レート、下方のサブセルへの光放出に関する再結合損失レート、非輻射再結合損失レートのそれぞれを、パワーに換算したものが、それぞれ、「Emission to Air」、「Emission to Sub」、「Non-rad. recombi」と示した損失である。
【0096】 「AM0 sun」、「Luminescent Coupling」は、上述の評価(B)で説明した同名の項目に対応するキャリア発生レートである。「Emission to Air」、「Emission to Sub」、「Non-rad. recombi」は、上述の評価(B)で説明した同名の項目に対応するキャリア損失レートである。「Current@Voc」、「Current@Vm」は、それぞれ、開放回路条件、最大出力条件における取出電流密度である。