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PRODUCTION METHODS FOR Sn-BASED PEROVSKITE LAYER AND SOLAR CELL

Foreign code F200010051
File No. 6159
Posted date May 15, 2020
Country WIPO
International application number 2019JP011860
International publication number WO 2019182058
Date of international filing Mar 20, 2019
Date of international publication Sep 26, 2019
Priority data
  • P2018-053418 (Mar 20, 2018) JP
Title PRODUCTION METHODS FOR Sn-BASED PEROVSKITE LAYER AND SOLAR CELL
Abstract [Problem] To provide a production method for a perovskite layer using a tin-based perovskite compound and having excellent flatness, and a production method for a perovskite solar cell using the perovskite layer obtained by means of the aforementioned production method. 
[Solution] A production method for a perovskite layer that involves, in order, a step for applying a solution containing a Sn-based perovskite compound to a substrate, a step for applying a poor solvent to the substrate, and a step for annealing the substrate, wherein the poor solvent is at 45°C to 100°C.
Outline of related art and contending technology BACKGROUND ART
Japanese Patent Laid-Open Patent Application 2015-138822, and lead halide and alkyl ammonium halide used as a raw material, the light absorption layer by solution processing step of forming a perovskite-containing perovskite type solar cell and a manufacturing method.
Lead-free perovskite compound is a tin-based perovskite compound has been studied. However, at present, a tin-based perovskite compound is used as a solar cell that has not been obtained is excellent. As shown in the test example described later, a tin-based perovskite compound, it is impossible to completely cover the underlying perovskite layer, as a result, perovskite layer and the unevenness is generated, the leak or the like occurs in the uneven portion to be the cause.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
 Sn系ペロブスカイト化合物を含む溶液を基板に塗布する工程と,
 前記基板に貧溶媒を塗布する工程と,
 前記基板をアニール処理する工程と,をこの順で含む
 ペロブスカイト層の製造方法であって,
 前記貧溶媒は,45℃以上100℃以下である,方法。

[請求項2]
 請求項1に記載の方法であって,
 前記貧溶媒は,50℃以上85℃以下である,方法。

[請求項3]
 請求項1に記載の方法であって,
 前記貧溶媒は,50℃以上70℃以下である,方法。

[請求項4]
 請求項1に記載の方法であって,
 前記貧溶媒は,前記基板を回転しつつ前記貧溶媒を滴下することにより塗布され,前記貧溶媒が塗布された後2.5秒以上7.5秒以内に前記回転が停止する,方法。

[請求項5]
 請求項1に記載の方法であって,
 前記アニール処理する工程は,前記基板を,溶媒蒸気を含む密閉系にて,段階的に加熱する工程を含む,方法。

[請求項6]
 Sn系ペロブスカイト化合物を含む溶液を基板に塗布する工程と,
 前記基板に貧溶媒を塗布する工程と,
 前記基板をアニール処理する工程と,をこの順で含む
 ペロブスカイト層の製造方法であって,
 前記貧溶媒は,室温以上であり,これにより種結晶の形成を促進し,種結晶からの結晶成長を抑制する方法。

[請求項7]
 Sn系ペロブスカイト化合物を含む溶液を基板に塗布する工程と,
 前記基板に貧溶媒を塗布する工程と,
 前記基板をアニール処理する工程と,をこの順で含む
 ペロブスカイト層の製造方法であって,
 前記ペロブスカイト層のSn系ペロブスカイト化合物による被覆率が98%以上100%以下である,方法。

[請求項8]
 請求項7に記載の方法であって,前記ペロブスカイト化合物の平均粒子径が150nm以上500nm以下である,方法。

[請求項9]
 請求項1に記載の方法を含む,ペロブスカイト型太陽電池の製造方法。

[請求項10]
請求項1に記載の方法を含む、ペロブスカイト型発光素子の製造方法。

[請求項11]
 Sn系ペロブスカイト化合物による被覆率が95%以上100%以下であるペロブスカイト層。

[請求項12]
 請求項11に記載のペロブスカイト層であって,
 前記Sn系ペロブスカイト化合物の平均粒子径が150nm以上500nm以下であるペロブスカイト層。

[請求項13]
 請求項11に記載のペロブスカイト層を含むペロブスカイト型太陽電池。

[請求項14]
 請求項11に記載のペロブスカイト層を含むペロブスカイト型発光素子。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • KYOTO UNIVERSITY
  • Inventor
  • WAKAMIYA Atsushi
  • OZAKI Masashi
  • JEIWEI Liu
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DJ DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JO JP KE KG KH KN KP KR KW KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN ST TD TG
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