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HIGH RESOLUTION PATTERN TRANSFER METHOD

Foreign code F060001508
File No. 04T001P
Posted date Feb 16, 2007
Country WIPO
International application number 2005JP019362
International publication number WO 2006/046475
Date of international filing Oct 14, 2005
Date of international publication May 4, 2006
Priority data
  • P2004-311218 (Oct 26, 2004) JP
Title HIGH RESOLUTION PATTERN TRANSFER METHOD
Abstract In a micro-lithography using photoresist, a photo-chromic material is further appliedonto the surface of the photoresist layer, and a circuit pattern is divided intoa plurality of image subsets. The first subset image divided is image-formed onthe substrate to expose the photoresist layer. After this, the absorption ratioof the photo-chromic material is recovered to the initial state. Then, the nextsubset image divided is image-formed on the substrate to expose the photoresist layer.This is repeated for all the subsets so as to form the circuit pattern on the photoresistlayer on the substrate. Thus, it is possible to provide a pattern transfer methodof high resolution not affected by superimposing.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】ネガ型もしくはポジ型の感光性のフォトレジスト層を積層した基板に、露光により回路パターンの像を結像し、前記フォトレジスト層を感光させ、その後前記フォトレジスト層を現像することにより前記回路パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に形成するパターン転写方法において、前記露光前の段階で前記フォトレジスト層の表面にさらにフォトクロミック材料を塗布し、前記回路パターンを複数の像のサブセットに分割し、該分割した最初のサブセットの像を前記基板に結像して前記フォトレジスト層を感光させた後、照射した光と波長の異なる光の照射若しくは所定の温度までの加熱又は所定時間常温で放置して前記フォトクロミック材料の吸収率を初期状態に回復させた後に、前記分割した次のサブセットの像を前記基板に結像して前記フォトレジスト層を感光させ、これをすべての前記サブセットについて繰り返して行い、前記回路パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に形成することを特徴とする高解像度パターン転写方法。

【請求項2】前記フォトクロミック材料の塗布方法がスピンコートである請求の範囲第1項に記載の高解像度パターン転写方法。

【請求項3】ネガ型もしくはポジ型の感光性のフォトレジスト層を積層した基板に、露光により回路パターンの像を結像し、前記フォトレジスト層を感光させ、その後前記フォトレジスト層を現像することにより前記回路パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に形成するパターン転写方法において、前記露光前の段階で前記フォトレジスト層の表面にさらにビスマス及びインジウムの金属薄膜をそれぞれ積層し、前記回路パターンを複数の像のサブセットに分割し、該分割した各サブセットの像を前記基板に結像して前記フォトレジスト層を感光させ、前記回路パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に形成することを特徴とする高解像度パターン転写方法。

【請求項4】ネガ型もしくはポジ型の感光性のフォトレジスト層を積層した基板に、露光により回路パターンの像を結像し、前記フォトレジスト層を感光させ、その後前記フォトレジスト層を現像することにより前記回路パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に形成するパターン転写方法において、前記露光前の段階で前記フォトレジスト層の表面にさらに低融点材料による多層薄膜を形成して干渉フィルターと成し、前記回路パターンを複数の像のサブセットに分割し、該分割した各サブセットの像を前記基板に結像して前記フォトレジスト層を感光させ、前記回路パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に形成することを特徴とする高解像度パターン転写方法。

【請求項5】前記サブセットは、前記回路パターンを同じ形状の独立した単位パターンから成る複数の異なるサブパターンに分割したもので構成されることを特徴とする、請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載の高解像度パターン転写方法。

【請求項6】前記露光がステッパによる縮小投影露光であることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載の高解像度パターン転写方法。

【請求項7】請求の範囲第1項乃至第6項のいずれかに記載の方法によって回路パターンが転写され、前記基板上に回路パターンが形成された集積回路。

【請求項8】請求の範囲第1項乃至第6項のいずれかに記載の方法によって回路パターンが転写され、前記基板上に回路パターンが形成された液晶ディスプレイパネル。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Tokyo Institute Of Technology
  • Inventor
  • Amaya, Kenji
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
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