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METHOD OF FORMING METAL LAMINATE THIN FILM OR OXIDE THIN FILM USING SUPERCRITICAL FLUID OR SUBCRITICAL FLUID, AND FILM FORMING APPARATUS THEREFOR meetings

Foreign code F060001527
File No. F060001527
Posted date Apr 2, 2007
Country WIPO
International application number 2005JP010040
International publication number WO 2005/118910
Date of international filing Jun 1, 2005
Date of international publication Dec 15, 2005
Priority data
  • P2004-167782 (Jun 4, 2004) JP
Title METHOD OF FORMING METAL LAMINATE THIN FILM OR OXIDE THIN FILM USING SUPERCRITICAL FLUID OR SUBCRITICAL FLUID, AND FILM FORMING APPARATUS THEREFOR meetings
Abstract A method and apparatus by which regardless of any exhibition of conductivity of foundation layer, there can be realized not only formation of a metal oxide thin film but also easy formation of a laminate structure of conductive metal thin film. There is provided a method comprising dissolving a metal precursor of metal oxide whose formation is intended and an oxidizer capable of oxidizing the metal precursor in a supercritical fluid or subcritical fluid, forming through oxidation reaction a thin film of metal oxide on a surface of substrate disposed in the supercritical fluid or subcritical fluid, and subsequently dissolving a reducing agent and a conductive metal precursor in the supercritical fluid or subcritical fluid, so that not only is the thin film of metal oxide on substrate surface reduced into a metal thin film but also the conductive precursor is reduced on the metal thin film after reduction to thereby effect laminating with a thin film of conductive metal.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】形成目的とする金属酸化物の金属前駆体と、前記金属前駆体を酸化する酸素以外の酸化剤とを超臨界流体中又は亜臨界流体中に溶解し、前記超臨界流体中又は亜臨界流体中に設けられた基板の表面に酸化反応により、前記金属酸化物の薄膜を形成することを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。

【請求項2】前記酸化剤は、O3、N2O、又はH2Oであることを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物薄膜の成膜方法

【請求項3】前記超臨界流体、又は亜臨界流体はCO2を媒質とするものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。

【請求項4】前記酸化反応を前記金属前駆体の融点以上、400℃以下の温度下で行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。

【請求項5】前記金属前駆体は、有機ルテニウム化合物であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。

【請求項6】前記O3はCO2で希釈されたものであることを特徴とする請求項2に記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。

【請求項7】前記超臨界流体、又は亜臨界流体の媒質と、前記酸化剤を希釈する媒質とが同質であることを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。

【請求項8】形成目的とする金属酸化物の金属前駆体と、前記金属前駆体を酸化する酸素を除く酸化剤とを超臨界流体中又は亜臨界流体中に溶解し、前記超臨界流体中又は亜臨界流体中に設けられた基板の表面に酸化反応により金属酸化物薄膜を成膜し、次に、還元剤及び導電性金属前駆体とを超臨界流体又は亜臨界流体中に溶解し、前記基板の表面に形成された金属酸化物薄膜を金属薄膜に還元するとともに、還元された前記金属薄膜上に前記導電性前駆体を還元し、導電性金属の薄膜を積層させることを特徴とする金属薄膜の積層成膜方法。

【請求項9】 請求項8に記載の金属酸化物はRuO2であり、前記金属薄膜はRuであり、前記導電性金属はCuであることを特徴とする請求項8に記載の金属薄膜の積層成膜方法。

【請求項10】 前記還元剤はH2であることを特徴とする請求項8に記載の金属薄膜の積層成膜方法。

【請求項11】形成目的とする金属酸化物の金属前駆体と前記金属前駆体を酸化する酸化剤とを超臨界流体中又は亜臨界流体中に溶解させる手段と、該流体中に設けられた基板の表面に酸化反応により前記金属酸化物薄膜を形成する手段と、前記金属酸化物薄膜の成膜終了後、前記超臨界流体又は亜臨界流体を輩出する手段と、導電性金属前駆体と還元剤とを、超臨界流体中又は亜臨界流体中に溶解させる手段と、前記基板の表面に形成された金属酸化物薄膜を還元反応により金属薄膜に還元するとともに、該金属薄膜の表面に前記導電性金属前駆体を還元反応により導電性金属の薄膜として形成する手段とを備えたことを特徴とする金属薄膜の積層成膜装置。

【請求項12】請求項11に記載の金属薄膜の積層成膜装置は、酸化反応及び/又は還元反応の温度を調整する手段を更に備えたことを特徴とする金属薄膜の積層成膜装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Yamanashi University
  • Inventor
  • Kondo, Eiichi
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
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