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SUBSTRATE, AND METHOD AND DEVICE FOR POLISHING SAME

Foreign code F060001531
File No. F060001531
Posted date Apr 2, 2007
Country WIPO
International application number 2006JP313601
International publication number WO 2007/007683
Date of international filing Jul 7, 2006
Date of international publication Jan 18, 2007
Priority data
  • P2005-198640 (Jul 7, 2005) JP
Title SUBSTRATE, AND METHOD AND DEVICE FOR POLISHING SAME
Abstract A method and a device for polishing the surface of a substrate composed of SiC ordiamond efficiently and extremely flatly without leaving sub-surface damage.A turn table (1) is turnable about a rotary shaft (4) and composed of quartz exhibitinghigh transparency to UV-rays. A large number of grooves (11) are provided in latticeon the surface of the turn table (1) and each groove (11) is filled with solid statephotocatalytic particles (20)(CeO2). When the turn table (1) is moved relativelywhile being pressed with ultrahigh pressure against the polishing surface (30A)of the substrate (30) composed of silicon carbide (SiC) or diamond (C), the polishingsurface (30A) is oxidized by the solid state photocatalytic particles (20),and chemical polishing is carried out. Oxidation of the polishing surface (30A)is accelerated by irradiation with UV-rays from a UV light source lamp (2) andpolishing is accelerated by heating with an infrared light source lamp (3).
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】基板の被研磨面に研磨定盤を高圧で接触させると共に前記研磨定盤の裏面から基板の被研磨面に紫外線を照射しつつ、基板を前記研磨定盤に対して相対的に擦動させることにより研磨することを特徴とする研磨方法。

【請求項2】前記研磨定盤の表面または前記基板の被研磨面のうち少なくとも一方を加熱しつつ研磨することを特徴とする請求項1記載の研磨方法。

【請求項3】前記研磨定盤の表面に固体光触媒粒子を配置することを特徴とする請求項1記載の研磨方法。

【請求項4】前記固体光触媒粒子は、酸化セリウム(CeO2 ),二酸化チタン(TiO2 ),酸化クロム(Cr2 O3 ),酸化亜鉛(ZnO),酸化タングステン(WO3 )および酸化鉄(F2 O3 )からなる群のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項3記載の研磨方法。

【請求項5】前記固体光触媒粒子に、酸化ジルコニウム(ZrO2 )またはアルミナ(Al2 O3 )の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項4記載の研磨方法。

【請求項6】前記研磨定盤として表面に溝または孔を有するものを用い、前記溝または孔に前記固体光触媒粒子を埋め込み、前記基板の被研磨面を前記研磨定盤の表面に高圧で押し付けることを特徴とする請求項3記載の研磨方法。

【請求項7】前記研磨定盤として紫外線に対して透明なものを用い、前記研磨定盤を透過して紫外線を照射することを特徴とする請求項1記載の研磨方法。

【請求項8】前記研磨定盤として紫外線に対して不透明であると共に表面から裏面に向かって貫通する紫外線通過孔を有するものを用い、前記紫外線通過孔を介して紫外線を照射することを特徴とする請求項1記載の研磨方法。

【請求項9】紫外線を照射することにより前記基板の表面を酸化させて化学研磨を行うことを特徴とする請求項1記載の研磨方法。

【請求項10】炭化珪素(SiC),ダイヤモンド(C),ガリウムヒ素(GaAs)またはガリウムナイトライド(GaN)により構成され、請求項1ないし9のうちいずれか1つの方法により研磨された面を有することを特徴とする基板。

【請求項11】基板の表面を研磨するための研磨装置であって、表面に溝または孔を有すると共に前記溝または孔に固体光触媒粒子が埋め込まれた研磨定盤と、前記基板を保持する基板ホルダと、前記研磨定盤の固体光触媒粒子に対して紫外光を照射する紫外光源ランプと、前記基板ホルダを介して前記基板の被研磨面を前記研磨定盤の表面に高圧で押し付けると共に、前記基板を固体光触媒粒子に対して相対的に擦動させる駆動手段とを備えたことを特徴とする研磨装置。

【請求項12】前記研磨定盤は紫外線に対して透明であり、かつ前記紫外光源ランプは前記研磨定盤の裏面側に配置され、前記研磨定盤の裏面から当該研磨定盤を透過して固体光触媒粒子へと紫外光を照射することを特徴とする請求項11記載の研磨装置。

【請求項13】加熱手段を備え、前記基板の被研磨面または前記研磨定盤の表面のうち少なくとも一方を加熱することを特徴とする請求項11記載の研磨装置。

【請求項14】前記固体光触媒粒子は、酸化セリウム(CeO2 ),二酸化チタン(TiO2 ),酸化クロム(Cr2 O3 ),酸化亜鉛(ZnO),酸化タングステン(WO3 )および酸化鉄(F2 O3 )からなる群のうち少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項11記載の研磨装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • National University Corporation Kumamoto University
  • Inventor
  • Watanabe, Junji
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HN HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LV LY MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RS RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
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