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APPARATUS FOR MEASURING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR

Foreign code F070001634
File No. F070001634
Posted date Aug 31, 2007
Country WIPO
International application number 2005JP015953
International publication number WO 2006/022425
Date of international filing Aug 25, 2005
Date of international publication Mar 2, 2006
Priority data
  • P2004-249197 (Aug 27, 2004) JP
Title APPARATUS FOR MEASURING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR
Abstract An apparatus is provided with a light irradiating means for applying light ona semiconductor whose characteristics are to be measured, an alternating currentvoltage source, a potential measuring means and an impedance regulator. To havea zero potential at a potential measuring point of the semiconductor to be measuredin a status where the semiconductor is not irradiated with light by the light irradiatingmeans, the impedance is regulated by the impedance regulator. The electricalcharacteristics of the semiconductor to be measured is measured by potentialmeasurement at the time when the semiconductor is irradiated with light and atthe time when the semiconductor is not irradiated with light. Thus, the electricalcharacteristics of the semiconductor can be accurately measured with a simpleconstitution.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】特性測定半導体に光を照射する光照射手段と、交流電圧源と、前記特性測定半導体に前記交流電圧源からの交流電圧を印加する電極と、前記特性測定半導体に直列に接続されたインピーダンス調整器と、前記特性測定半導体とインピーダンス調整器との接続点の電位を測定する電位測定手段とを有し、前記インピーダンス調整器が、前記特性測定半導体の交流インピーダンスと同じ交流インピーダンスに調整され、前記特性測定半導体とインピーダンス調整器の接続点の電位がゼロ電位になるように前記交流電圧を印加することを特徴とする半導体の電気特性測定装置。

【請求項2】少なくとも前記特性測定半導体に、直流バイアス電圧を印加し、該直流バイアス電圧に前記交流電圧源からの交流電圧を重畳して印加することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項3】前記特性測定半導体に照射する光がパルス光であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項4】前記特性測定半導体に照射する光が定常光であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項5】前記電極に、液体金属電極を用いることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項6】特性測定半導体に光を照射する光照射手段と、交流電圧源と、前記特性測定半導体に前記交流電圧源からの交流電圧を印加する電極と、前記特性測定半導体に並列に接続されるインピーダンス調整器と、前記特性測定半導体の電位測定手段とを有し、前記インピーダンス調整器が、前記特性測定半導体の交流インピーダンスと同じ交流インピーダンスに調整され、前記特性測定半導体上の少なくとも1つの電極の電位と前記インピーダンス調整器の少なくとも1つの電極の電位が同電位になるように前記交流電圧を印加することを特徴とする半導体の電気特性測定装置。

【請求項7】少なくとも前記特性測定半導体に、直流バイアス電圧を印加し、該直流バイアス電圧に前記交流電圧源からの交流電圧を重畳して印加することを特徴とする請求の範囲第6項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項8】前記特性測定半導体に照射する光がパルス光であることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項9】前記特性測定半導体に照射する光が定常光であることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の半導体の電気特性測定装置。

【請求項10】前記電極に液体金属電極を用いることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の半導体の電気特性測定装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology
  • Inventor
  • Sameshima, Toshiyuki
  • Watakabe, Hajime
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
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