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SUBSTRATE WITH ORGANIC THIN FILM, TRANSISTOR USING SAME, AND METHODS FOR PRODUCING THOSE meetings

Foreign code F070001658
File No. N071-06WO
Posted date Sep 7, 2007
Country WIPO
International application number 2005JP006199
International publication number WO 2005/091377
Date of international filing Mar 24, 2005
Date of international publication Sep 29, 2005
Priority data
  • P2004-088077 (Mar 24, 2004) JP
Title SUBSTRATE WITH ORGANIC THIN FILM, TRANSISTOR USING SAME, AND METHODS FOR PRODUCING THOSE meetings
Abstract Disclosed is a substrate with an organic thin film wherein the organic thin film such as a C60 film can be two-dimensionally grown. Also disclosed is a transistor using such a substrate. A substrate (1) with an organic thin film is obtained by sequentially forming a buffer layer (3) and an organic thin film (4) on a substrate (2) and having the organic thin film (4) oriented by the buffer layer (3). A layer which is likely to orient to the substrate (2) or the buffer layer (3) may be interposed between the substrate (2) and the buffer layer (3). A sapphire substrate can be used as the substrate (2); pentacene or fluorinated pentacene can be used for the buffer layer (3); and C60 or rubrene can be used for the organic thin film (4). Consequently, there can be obtained a two-dimensional thin film of C60 or rubrene having high quality. By using such a substrate (1) with an organic thin film, there can be realized a field effect transistor with high performance.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】基板上に、バッファー層と有機薄膜とが順次積層され、上記バッファー層が上記有機薄膜を配向させることを特徴とする、有機薄膜を有する基板。

【請求項2】前記基板と前記バッファー層との間に、さらに前記バッファー層と配向しやすい層が挿入されていることを特徴とする、請求項1に記載の有機薄膜を有する基板。

【請求項3】前記基板は絶縁基板であり、前記バッファー層はアセン系芳香族またはその誘導体であり、前記有機薄膜はCnフラーレン(ここで、nは60以上の整数)、Cnフラーレン誘導体、ルブレンの何れかであることを特徴とする、請求項1に記載の有機薄膜を有する基板。

【請求項4】前記絶縁基板がサファイア基板であり、前記アセン系芳香族がペンタセン又はフッ素化ペンタセンであり、前記CnフラーレンがC60であることを特徴とする、請求項3に記載の有機薄膜を有する基板。

【請求項5】前記サファイア基板の表面が平坦化処理され、前記ペンタセン又はフッ素化ペンタセンから成るバッファー層が分子層単位で積層されていることを特徴とする、請求項4に記載の有機薄膜を有する基板。

【請求項6】基板上に形成された有機薄膜を備えたトランジスタであって、上記有機薄膜が、該有機薄膜を配向させるバッファー層を介して上記基板に積層されていることを特徴とする、トランジスタ。

【請求項7】前記基板と前記バッファー層との間に、さらに、前記バッファー層と配向しやすい層が挿入されていることを特徴とする、請求項6に記載のトランジスタ。

【請求項8】前記基板は絶縁基板であり、前記バッファー層はアセン系芳香族またはその誘導体であり、前記有機薄膜はCnフラーレン(ここで、nは60以上の整数)、Cnフラーレン誘導体、ルブレンの何れかであることを特徴とする、請求項6に記載のトランジスタ。

【請求項9】前記絶縁基板がサファイア基板であり、前記アセン系芳香族がペンタセン又はフッ素化ペンタセンであり、前記CnフラーレンがC60であることを特徴とする、請求項8に記載のトランジスタ。

【請求項10】前記サファイア基板の表面が平坦化処理され、前記ペンタセン又はフッ素化ペンタセンから成るバッファー層が分子層単位で積層されていることを特徴とする、請求項9に記載のトランジスタ。

【請求項11】基板上にバッファー層と有機薄膜とが順次積層される工程を含み、該バッファー層が上記有機薄膜を配向させることを特徴とする、有機薄膜を有する基板の製造方法。

【請求項12】前記基板と前記バッファー層との間に、さらに前記バッファー層と配向しやすい層を挿入することを特徴とする、請求項11に記載の有機薄膜を有する基板の製造方法。

【請求項13】前記基板は絶縁基板であり、前記バッファー層はアセン系芳香族またはその誘導体であり、前記有機薄膜はCnフラーレン(ここで、nは60以上の整数)、Cnフラーレン誘導体、ルブレンの何れかであることを特徴とする、請求項11に記載の有機薄膜を有する基板の製造方法。

【請求項14】前記絶縁基板がサファイア基板であり、前記アセン系芳香族がペンタセン又はフッ素化ペンタセンであり、前記CnフラーレンがC60であることを特徴とする、請求項13に記載の有機薄膜を有する基板の製造方法。

【請求項15】前記サファイア基板の表面が平坦化処理され、前記ペンタセン又はフッ素化ペンタセンから成るバッファー層が分子層単位で積層されていることを特徴とする、請求項14に記載の有機薄膜を有する基板の製造方法。

【請求項16】基板上に形成された有機薄膜を備えたトランジスタの製造方法であって、上記有機薄膜が、該有機薄膜を配向させるバッファー層を介して上記基板に積層されていることを特徴とする、トランジスタの製造方法。

【請求項17】前記基板と前記バッファー層との間に、さらに前記バッファー層と配向しやすい層を挿入することを特徴とする、請求項16に記載のトランジスタの製造方法。

【請求項18】前記基板は絶縁基板であり、前記バッファー層はアセン系芳香族または誘導体であり、前記有機薄膜はCnフラーレン(ここで、nは60以上の整数)、Cnフラーレン誘導体、ルブレンの何れかであることを特徴とする、請求項16に記載のトランジスタの製造方法。

【請求項19】前記絶縁基板がサファイア基板であり、前記アセン系芳香族がペンタセン又はフッ素化ペンタセンであり、前記CnフラーレンがC60であることを特徴とする、請求項18に記載のトランジスタの製造方法。

【請求項20】前記サファイア基板の表面が平坦化処理され、前記ペンタセン又はフッ素化ペンタセンから成るバッファー層が分子層単位で積層されていることを特徴とする、請求項19に記載のトランジスタの製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Japan Science And Technology Agency
  • Inventor
  • Koinuma, Hideomi
  • Itaka, Kenji
  • Yamashiro, Mitsugu
IPC(International Patent Classification)
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