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METHOD OF FABRICATING THIN-FILM TRANSISTOR

Foreign code F070001672
File No. F070001672
Posted date Sep 14, 2007
Country WIPO
International application number 2006JP306307
International publication number WO 2006/109565
Date of international filing Mar 28, 2006
Date of international publication Oct 19, 2006
Priority data
  • P2005-113361 (Apr 11, 2005) JP
Title METHOD OF FABRICATING THIN-FILM TRANSISTOR
Abstract The core metal of a protein such as ferritin is used as a nucleus for crystallizing asilicone thin film and then the thus crystallized film is employed in the channel partof a thin-film transistor. By aligning the protein on the surface of amorphous siliconeand heating, the crystallinity is controlled. In the case of ferritin, the corediameter of the protein is 7 mm. That is, this protein is highly even in size (i.e.,the metal content). Thus, the amount of the protein to be deposited on the amorphoussilicone surface can be accurately controlled by controlling the protein coredensity. Furthermore, the type of the core metal can be altered by chemical reactionsand the above method is applicable not only to amorphous silicone but also to amorphousfilms of various types such as germanium. Thus, the amount of nickel requiredin crystallization is controlled by using a protein. Moreover, the distributiondensity of the nickel core is controlled to thereby conduct crystallizationat a desired crystal size.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】タンパク質の超分子コアを用いて、これを結晶核として結晶化した膜をチャンネル部分に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

【請求項2】前記タンパク質にフェリチンを用いたことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。

【請求項3】前記タンパク質の超分子コアが、化学反応によって、超分子コアに内包されている金属以外の金属に置換されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。

【請求項4】前記タンパク質がニッケルを内包したタンパク質であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。

【請求項5】(1)アモルファス膜を堆積させる工程と、(2)タンパク質に内包された金属を該アモルファス膜に配設する工程と、(3)該金属とアモルファス膜をアニールする工程とを含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項6】前記金属を該アモルファス膜に配設する工程の後に、さらにタンパク質の外殻を取り除く工程を設けたことを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項7】前記金属をアモルファス膜に配設する方法が、金属を内包したタンパク質を溶液中に希釈してアモルファス膜に滴下する方法であることを特徴とする請求項5又は6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項8】前記アモルファス膜がシリコンであることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項9】前記タンパク質がフェリチンであることを特徴とする請求項5乃至8のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項10】前記フェリチンが、化学反応により内包する金属が鉄からニッケルに置換されているフェリチンであることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項11】前記アニール温度が550℃以下であることを特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項12】アモルファス膜に滴下するフェリチンの濃度を制御することにより、ニッケルコアの供給量及び分布密度を制御することを特徴とする請求項5乃至11のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項13】前記フェリチンの濃度調整により、ニッケルコアの密度を1.0×1010cm-2以下にしたことを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項14】前記ニッケルコアの分布密度の制御において、あらかじめアモルファス膜上にフェリチンを吸着する膜を、一定間隔に若しくはトランジスタのチャンネル位置に応じた位置にパターニングすることにより、選択的にフェリチンをアモルファス膜上に配置することを特徴とする請求項12又は13に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • National University Corporation Nara Institute Of Science And Technology
  • Inventor
  • Uraoka, Yukiharu
  • Fuyuki, Takashi
  • Kirimura, Hiroya
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KN KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
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