Top > Search of International Patents > SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Foreign code F070001673
File No. F070001673
Posted date Sep 14, 2007
Country WIPO
International application number 2006JP306306
International publication number WO 2006/104150
Date of international filing Mar 28, 2006
Date of international publication Oct 5, 2006
Priority data
  • P2005-090611 (Mar 28, 2005) JP
Title SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Abstract A dot sequence structure where cores or insulators only are arranged orderly ona silicon substrate is obtained by going through a cage-form protein supermolecule producingprocess (S101), a film producing process (S102) using a cage-form protein supermoleculeand a process of removing the protein coating of a cage-form protein supermolecule(S103). Next, a silicon film (Si) is grown on a dot-sequenced substrate by a CVDmethod, an aluminum electrode is vapor-deposited on the upper surface thereof,and the film is subjected to a capacitor-structure preparation process (104).Further, an aluminum electrode is provided and the product is subjected to a physical-structurefabrication processing as a floating gate device (S105). Finally, an annealingprocessing (S106) is performed. The annealing processing reduces each dot whichhas been an insulator by means of a silicon film to modify it to exhibit conductivity.Whereby, a semiconductor device producing method and a semiconductor capableof constantly maintaining conductivity are provided without inviting a deteriorationin dot conductivity.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】絶縁体である金属酸化物からなるコアを2次元マトリクス状の量子ドットとして絶縁膜が形成された基板上に形成するドット形成工程と、 前記コアが配列されている基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記コアを包含したゲート絶縁膜にアニール処理を施すことにより前記コアを還元して導電体とするアニール処理工程とを備えた半導体装置の製造方法。

【請求項2】前記アニール処理工程における前記アニール処理が、前記ゲート絶縁膜の酸素結合力によって金属酸化物たる前記コアを還元することにより前記コアに導電性を与える処理である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】前記コアが、籠状タンパク質超分子構造体のコアに由来し、前記ドット形成工程が、前記籠状タンパク質超分子構造体を2次元マトリクス状に基板上に配列する第1の工程と、配列された前記籠状タンパク質超分子構造体のタンパク質の外殻を除去する第2の工程を備えている請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】前記籠状タンパク質超分子構造体がフェリチンである請求項3に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】前記金属酸化物からなるコアが、鉄酸化物、ニッケル酸化物、および、コバルト酸化物より選ばれるいずれかの金属酸化物である請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】前記ゲート絶縁膜が、シリコン酸化物またはゲルマニウム酸化物より選ばれるいずれかの酸化物である請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】前記アニール処理工程における前記アニール処理の温度を100度から800度の範囲とした請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項8】前記アニール処理工程における前記アニール処理の圧力を0.01気圧から2気圧とした請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項9】前記アニール処理工程における前記アニール処理の時間を10分から10時間とした請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項10】前記半導体装置をMOS型キャパシタ半導体装置とした請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項11】前記半導体装置をフローティングゲートMOS型FET半導体装置とした請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項12】絶縁体である金属酸化物からなるコアを2次元マトリクス状の量子ドットとして絶縁膜が形成された基板上に形成するドット形成工程と、前記コアが配列されている基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記コアを包含したゲート絶縁膜にアニール処理を施すことにより前記コアを還元して導電体とするアニール処理工程とを備えた半導体装置製造方法により製造された半導体装置。

【請求項13】前記アニール処理工程における前記アニール処理が、前記ゲート絶縁膜の酸素結合力によって金属酸化物たる前記コアを還元することにより、前記コアに導電性を与える処理である請求項12に記載の半導体装置。

【請求項14】前記コアが、籠状タンパク質超分子構造体のコアに由来し、前記金属酸化物からなるコアが、鉄酸化物、ニッケル酸化物、および、コバルト酸化物より選ばれるいずれかの金属酸化物である請求項12又は13に記載の半導体装置。

【請求項15】前記ゲート絶縁膜が、シリコン酸化物またはゲルマニウム酸化物より選ばれるいずれかの酸化物である請求項12乃至14のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項16】前記半導体装置をMOS型キャパシタ半導体装置とした請求項12乃至15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

【請求項17】前記半導体装置をフローティングゲートMOS型半導体装置とした請求項12乃至15のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項18】前記半導体装置を、前記量子ドット1個を用いた単電子デバイスとした請求項12乃至15のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項19】前記半導体装置を、前記量子ドットの配列を用いて電流を基板と水平な方向に流し得る量子効果デバイスとした請求項12乃至15のいずれかに記載の半導体装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • National University Corporation Nara Institute Of Science And Technology
  • Inventor
  • Fuyuki, Takashi
  • Uraoka, Yukiharu
  • Hikono, Takio
  • Miura, Atsushi
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KN KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close