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COMPOSITION CONTAINING SEMICONDUCTOR ULTRAFINE PARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

Foreign code F070001683
File No. F070001683
Posted date Sep 14, 2007
Country WIPO
International application number 2005JP018540
International publication number WO 2006/054402
Date of international filing Oct 6, 2005
Date of international publication May 26, 2006
Priority data
  • P2004-335432 (Nov 19, 2004) JP
  • P2005-063334 (Mar 8, 2005) JP
Title COMPOSITION CONTAINING SEMICONDUCTOR ULTRAFINE PARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Abstract It is intended to provide a liquid composition, or resin composition, containingsemiconductor ultrafine particles that is inexpensive and exhibits not onlyhigh luminescence intensity but also high luminescence stability. Cationicsemiconductor ultrafine particles composed of semiconductor ultrafine particleswith surfaces thereof covered with ionic molecules are synthesized in an aqueoussolution (S1), and the resultant aqueous solution is mixed with a hydrophobicionic liquid and agitated (S2,S4). Then, the water is separated from the ionicliquid, and substantially 100% of the cationic semiconductor ultrafine particlesare transferred from the water into the ionic liquid, so that an ionic liquid solutionof semiconductor ultrafine particles can be obtained by removing the upper-phasewater (S5 to S7). Although in that state as well the luminescence intensity ishigh and also the long-term luminescence stability under continuous irradiationof excitation light is high, further heating treatment is performed (S8), therebyattaining further enhancement of luminescence efficiency. By the use of an ionicliquid type monomer, a resin composition containing semiconductor ultrafineparticles can be obtained through polymerization.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子がイオン性液体中に分散されて成る、半導体超微粒子を含有する液体組成物。

【請求項2】前記半導体超微粒子は、カルコゲン化合半導体超微粒子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体超微粒子を含有する液体組成物。

【請求項3】前記陽イオン性分子は四級アンモニウム基を有するイオン性有機分子であり、前記イオン性液体は、下記の一般式(1)~(4)のいずれかで表されるカチオンと、アニオン(A-)より成るものであることを特徴とする請求項2に記載の半導体超微粒子を含有する液体組成物。【化9】【化10】【化11】【化12】 但し、上記式(1)~(4)において、Rは炭素数12以下のアルキル基又はエーテル結合を含み炭素と酸素の合計数が12以下であるアルキル基を表し、式(1)においてR1、R2は炭素数1~4のアルキル基又は水素原子を表す。式(3)、(4)において、xは1~4の整数を表す。

【請求項4】陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子が陽イオン性高分子中に分散されて成る、半導体超微粒子を含有する樹脂組成物。

【請求項5】前記半導体超微粒子は、カルコゲン化合半導体超微粒子であることを特徴とする請求項4に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物。

【請求項6】前記陽イオン性分子は四級アンモニウム基を有するイオン性有機分子であり、前記陽イオン性高分子は、下記の一般式(5)~(8)のいずれかで表されるカチオンと、アニオン(A-)より成るイオン性液体型モノマーを重合して得られるものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物。【化13】【化14】【化15】【化16】 但し、上記式(5)~(8)において、Rは炭素数12以下のアルキル基又はエーテル結合を含み炭素と酸素の合計数が12以下であるアルキル基を表し、式(5)においてR3、R4はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を含み、R3、R4のいずれか又は両方に一箇所以上の二重結合を含む官能基を表す。式(7)、(8)において、xは1~4の整数を表す。

【請求項7】イオン性液体中に半導体超微粒子が分散した液体組成物を製造する方法であって、陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子が水中に分散した水溶液を疎水性イオン性液体に加え、その混合液を撹拌し、その後に相分離した上相の水を除去することにより、半導体超微粒子が分散されて成るイオン性液体を得るようにしたことを特徴とする、半導体超微粒子を含有する液体組成物の製造方法。

【請求項8】前記半導体超微粒子が分散されて成るイオン性液体に対し、加熱処理を加えることを特徴とする請求項7に記載の半導体超微粒子を含有する液体組成物の製造方法。

【請求項9】前記半導体超微粒子はカルコゲン化合半導体超微粒子であることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体超微粒子を含有する液体組成物の製造方法。

【請求項10】前記陽イオン性分子は四級アンモニウム基を有するイオン性有機分子であり、前記イオン性液体は、下記の一般式(1)~(4)のいずれかで表されるカチオンと、アニオン(A-)より成るものであることを特徴とする請求項9に記載の半導体超微粒子を含有する液体組成物の製造方法。【化17】【化18】【化19】【化20】 但し、上記式(1)~(4)において、Rは炭素数12以下のアルキル基又はエーテル結合を含み炭素と酸素の合計数が12以下であるアルキル基を表し、式(1)においてR1、R2は炭素数1~4のアルキル基又は水素原子を表す。式(3)、(4)において、xは1~4の整数を表す。

【請求項11】陽イオン性高分子中に半導体超微粒子が分散した樹脂組成物を製造する方法であって、陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子が水中に分散した水溶液を疎水性イオン性液体型モノマーに加え、その混合液を撹拌し、その後に相分離した上相の水を除去し、重合することにより、半導体超微粒子が分散されて成る陽イオン性高分子を得ることを特徴とする半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の製造方法。

【請求項12】前記重合前、重合時、重合後のいずれかにおいて加熱処理を加えることを特徴とする請求項11に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の製造方法。

【請求項13】前記半導体超微粒子はカルコゲン化合半導体超微粒子であることを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の製造方法。

【請求項14】前記陽イオン性分子は四級アンモニウム基を有するイオン性有機分子であり、前記イオン性液体型モノマーは、下記の一般式(5)~(8)のいずれかで表されるカチオンと、アニオン(A-)より成るものであることを特徴とする請求項13に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物の製造方法。【化21】【化22】【化23】【化24】 但し、上記式(5)~(8)において、Rは炭素数12以下のアルキル基又はエーテル結合を含み炭素と酸素の合計数が12以下であるアルキル基を表し、式(5)においてR3、R4はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を含み、R3、R4のいずれか又は両方に一箇所以上の二重結合を含む官能基を表す。式(7)、(8)において、xは1~4の整数を表す。

【請求項15】陽イオン性分子で表面が被覆された半導体超微粒子がイオン性液体型モノマー中に分散されて成る半導体超微粒子モノマー溶液を重合することにより得られる、半導体超微粒子を含有する樹脂組成物。

【請求項16】前記半導体超微粒子は、カルコゲン化合半導体超微粒子であることを特徴とする請求項15に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物。

【請求項17】前記陽イオン性分子は四級アンモニウム基を有するイオン性有機分子であり、前記イオン性液体型モノマーは、下記の一般式(5)~(8)のいずれかで表されるカチオンと、アニオン(A-)より成るものであることを特徴とする請求項16に記載の半導体超微粒子を含有する樹脂組成物。【化25】【化26】【化27】【化28】 但し、上記式(5)~(8)において、Rは炭素数12以下のアルキル基又はエーテル結合を含み炭素と酸素の合計数が12以下であるアルキル基を表し、式(5)においてR3、R4はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を含み、R3、R4のいずれか又は両方に一箇所以上の二重結合を含む官能基を表す。式(7)、(8)において、xは1~4の整数を表す。

【請求項18】請求項1~6、15~17のいずれかに記載の液体組成物又は樹脂組成物をインク中に分散させたことを特徴とする偽造防止用インク。

【請求項19】請求項1~6、15~17のいずれかに記載の液体組成物又は樹脂組成物を含有し、2光子吸収を動作原理として作動することを特徴とする光機能性材料。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • National University Corporation Nara Institute Of Science And Technology
  • Inventor
  • Kawai, Tsuyoshi
  • Nakashima, Takuya
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
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