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SPINTRONICS MATERIAL AND TMR DEVICE

Foreign code F070001712
File No. F070001712
Posted date Oct 4, 2007
Country WIPO
International application number 2005JP016349
International publication number WO 2006/028101
Date of international filing Sep 6, 2005
Date of international publication Mar 16, 2006
Priority data
  • P2005-046088 (Feb 22, 2005) JP
  • P2004-258728 (Sep 6, 2004) JP
Title SPINTRONICS MATERIAL AND TMR DEVICE
Abstract Disclosed is a spintronics material containing X2(Mn1-yCry)Z.In this connection, X represents at least one element selected from the groupconsisting of Fe, Ru, Os, Co and Rh, Z represents at least one element selectedfrom the group consisting of group IIIB elements, group IVB elements and groupVB elements, and y is not less than 0 but not more than 1. In addition, Fe2MnZ,Co2MnZ, Co2CrAl and Ru2MnZ are excluded.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】X2(Mn1-yCry)Z(Xは、Fe、Ru、Os、Co及びRhからなる群から選択された少なくとも1種の元素であり、Zは、IIIB族元素、IVB族元素及びVB族元素からなる群から選択された少なくとも1種の元素であり、yは0以上1以下であり、Fe2MnZ、Co2MnZ、Co2CrAl及びRu2MnZを除く。)を含有することを特徴とするスピントロニクス材料。

【請求項2】スピン分極率が実質的に60%以上であることを特徴とする請求項1に記載のスピントロニクス材料。

【請求項3】請求項1に記載のスピントロニクス材料からなる2つの強磁性層と、前記2つの強磁性層の間に挟みこまれた非磁性層と、を有することを特徴とするTMR素子。

【請求項4】前記スピントロニクス材料のスピン分極率が実質的に60%以上であることを特徴とする請求項3に記載のTMR素子。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Kagoshima University
  • Inventor
  • Ishida, Shoji
  • Mizutani, Sou
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GW HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MC MD MG MK ML MN MR MW MX MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW
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