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SURFACE TREATING METHOD AND DEVICE THEREOF meetings

Foreign code F100002327
Posted date Dec 14, 2010
Country WIPO
International application number 2008JP065724
International publication number WO 2009/031517
Date of international filing Sep 2, 2008
Date of international publication Mar 12, 2009
Priority data
  • P2007-228276 (Sep 3, 2007) JP
Title SURFACE TREATING METHOD AND DEVICE THEREOF meetings
Abstract [PROBLEMS] In a conventional surface treating technique using a suction cavitation current, flowing condition of fluid is not stabilized and suction cavitation currents flow in almost parallel along a surface to be treated when a wide chamber is used to place matter to be treated therein, therefore crushing impact of cavitation bubbles cannot sufficiently be acted on the surface to be treated. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A fluid suction flow path (26) communicating with a fluid supply flow path (25) only via a restriction (27) is provided so as to encircle almost concentrically the fluid supply flow path (25) having at one end thereof the restriction (27) and working fluid (8) in the fluid suction flow path (26) is sucked with a sucking means (17) to thereby generate the suction cavitation flow (5) in a flow directly below the restriction (27) and allow the suction cavitation flow (5) to collide almost vertically against the surface to be treated (6a), whereby the surface to be treated (6a) is surface treated.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 流路途中に設けた絞り部を介して流体を吸引することにより、キャビテーション気泡を含む吸引キャビテーション流を発生させ、該吸引キャビテーション流内にて、前記キャビテーション気泡の圧潰衝撃力を前記絞り部近傍の被処理面に作用させる表面処理方法において、前記絞り部を片端に有する流体供給流路の周りを略同心状に取り囲むようにして、該流体供給流路とは前記絞り部のみを介して連通する流体吸引流路を設け、該流体吸引流路内の流体を吸引手段で吸引することにより、前記絞り部の直下流に前記吸引キャビテーション流を発生させ、該吸引キャビテーション流を前記被処理面に対して略垂直に衝突させることにより、前記被処理面に表面処理を施すことを特徴とする表面処理方法。

【請求項2】 前記流体には微粒子を分散混入し、該微粒子に前記キャビテーション気泡の圧潰衝撃力を作用させることにより、前記微粒子を前記被処理面に対して略垂直に衝突させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。

【請求項3】 前記流体吸引流路内の流体を前記吸引手段で吸引するとともに、前記流体供給流路内の流体を圧送手段で圧送することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表面処理方法。

【請求項4】 前記絞り部を予め閉じた状態で、前記流体供給流路内の流体を前記吸引手段により吸引を行って、前記流体供給流路内の内圧を前記流体吸引流路内の内圧よりも高くした後で、前記絞り部を開くことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の表面処理方法。

【請求項5】 前記流体の温度を、所定温度に制御することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の表面処理方法。

【請求項6】 流体の流路途中に絞り部を設け、該絞り部を介して流体を吸引することにより、キャビテーション気泡を含む吸引キャビテーション流を発生させ、該吸引キャビテーション流内にて、前記キャビテーション気泡の圧潰衝撃力を前記絞り部近傍の被処理面に作用させる構造を備えた表面処理装置において、前記絞り部を片端に有すると共に該絞り部に流体を供給可能な流体供給流路と、該流体供給流路内とは前記絞り部のみを介して連通する流体吸引流路と、該流体吸引流路内の流体を吸引する吸引手段とを備え、前記流体吸引流路は、前記流体供給流路の周りを略同心状に取り囲むと共に、前記絞り部は、前記被処理面に対向配置したことを特徴とする表面処理装置。

【請求項7】 前記流体には微粒子を分散混入し、該微粒子に前記キャビテーション気泡の圧潰衝撃力を作用させることにより、前記微粒子を前記被処理面に対して略垂直に衝突させることを特徴とする請求項6に記載の表面処理装置。

【請求項8】 内部に前記流体供給流路を有し片端には前記絞り部を有する一重管体を設け、該一重管体の外側の前記流体吸引流路内に、前記被処理面を露出させることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の表面処理装置。

【請求項9】 前記一重管体は、屈曲可能な自在管から成ることを特徴とする請求項8に記載の表面処理装置。

【請求項10】 内部に前記流体供給流路を有し片端には前記絞り部を有する内管と、該内管の外側面との間に前記流体吸引流路を有する外管とから成る一体的な二重管体を設け、前記絞り部近傍の流路内に、前記被処理面を露出させることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の表面処理装置。

【請求項11】 前記外管は、絞り部から被処理面までの流路を覆うようにして延設することを特徴とする請求項10に記載の表面処理装置。

【請求項12】 前記絞り部から被処理面までの距離を一定に保持可能な距離保持手段を備えることを特徴とする請求項6から請求項11のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。

【請求項13】 前記絞り部から被処理面までの距離を検出可能な距離センサを備えることを特徴とする請求項12記載の表面処理装置。

【請求項14】 前記被処理面の非処理部位には、マスク材を覆設することを特徴とする請求項6から請求項13のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。

【請求項15】 前記絞り部は、前記被処理面上を自在に移動可能な構成とすることを特徴とする請求項6から請求項14のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。

【請求項16】 前記絞り部の下流側開口部近傍に、複数の孔を有した多孔部材を配設することを特徴とする請求項6から請求項15のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。

【請求項17】 前記絞り部の下流側開口部近傍に吸引キャビテーション流を所定方向に誘導する誘導部材を配設することを特徴とする請求項6から請求項16のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。

【請求項18】 前記絞り部の下流側開口部近傍に流体旋回手段を配設することを特徴とする請求項6から請求項17のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。

【請求項19】 前記絞り部に、該絞り部の孔径を可変する孔径可変手段を配設することを特徴とする請求項6から請求項18のうちのいずれか一項に記載の表面処理装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • National University Corporation Okayama University
  • Inventor
  • OHASHI, Kazuhito
  • TSUKAMOTO, Shinya
  • HASEGAWA, Hiroyuki
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM(UTILITY MODEL),DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME(PETTY PATENT),MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)

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