Top > Search of International Patents > MICRO VACUUM GAUGE

MICRO VACUUM GAUGE

Foreign code F110002432
Posted date Feb 9, 2011
Country WIPO
International application number 2009JP051533
International publication number WO 2009/096504
Date of international filing Jan 30, 2009
Date of international publication Aug 6, 2009
Priority data
  • P2008-021826 (Jan 31, 2008) JP
Title MICRO VACUUM GAUGE
Abstract A micro vacuum gauge comprises a substrate, a floating structure which is held above the substrate by a support structure extending from the substrate in such a state that the floating structure is thermally isolated from the substrate, a heat generation element which is disposed on the floating structure and generates heat, and a temperature sensor which is disposed on the floating structure and measures the difference in temperature between the substrate and the floating structure. A second member having a radiation rate lower than that of a first member surrounding the heat generation element and the temperature sensor is so joined to the first member as to be provided on at least the surface of the floating structure.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 基板と、該基板から延びる支持構造体によって前記基板から熱分離された状態で前記基板の上方に保持された浮遊構造体と、該浮遊構造体に配置されて発熱する発熱体と、前記浮遊構造体に配置されて前記基板と前記浮遊構造体との温度差を計測する温度センサと、を備えてなるマイクロ真空計において、
 前記浮遊構造体の少なくとも表面に、前記発熱体及び前記温度センサの周囲を覆う第1部材より放射率の低い第2部材が、前記第1部材に接合して形成されたことを特徴とするマイクロ真空計。

【請求項2】 前記第2部材が、前記第1部材よりも反射率が高いことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ真空計。

【請求項3】 前記第1部材が酸化シリコンまたは窒化シリコンであって、前記第2部材がアルミニウム、チタン、金、タングステン、または白金であることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ真空計。

【請求項4】 前記第2部材が、前記第1部材よりも透過率が高いことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ真空計。

【請求項5】 前記第1部材が酸化シリコンまたは窒化シリコンであって、前記第2部材が単結晶シリコン、多結晶シリコン、またはアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項4に記載のマイクロ真空計。

【請求項6】 前記第1部材が平面板状に形成され、前記第2部材が前記第1部材の上面及び下面を覆って形成されたことを特徴とする請求項2又は3に記載のマイクロ真空計。

【請求項7】 前記基板の上面に窪み部が形成され、前記浮遊構造体が前記支持構造体によって前記窪み部の上方に保持されることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載のマイクロ真空計。

【請求項8】 前記基板の上面が平坦に形成され、前記浮遊構造体が前記支持構造体によって前記基板の上面より上方に持ち上げるように保持されることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載のマイクロ真空計。

【請求項9】 前記第2部材が、複数の薄膜の積層構造からなることを特徴とする請求項1から8の何れかに記載のマイクロ真空計。

【請求項10】 基板と、該基板から延びる支持構造体によって前記基板から熱分離された状態で前記基板の上方に保持された浮遊構造体と、該浮遊構造体に配置されて発熱する発熱体と、前記浮遊構造体に配置されて前記基板と前記浮遊構造体との温度差を計測する温度センサと、を備えてなるマイクロ真空計において、
 前記基板に、赤外線を反射して前記浮遊構造体からの輻射によるエネルギー損失を減少させる部材が形成されたことを特徴とするマイクロ真空計。

【請求項11】 前記基板の上面に窪み部が形成されるとともに該窪み部の上方に前記浮遊構造体が前記支持構造体によって保持される一方、前記赤外線を反射する部材が前記基板の裏面に形成されることを特徴とする請求項10に記載のマイクロ真空計。

【請求項12】 前記基板の上面に窪み部が形成されるとともに該窪み部の上方に前記浮遊構造体が前記支持構造体によって保持される一方、前記赤外線を反射する部材が前記基板から延出して前記浮遊構造体の上方を覆うように形成されることを特徴とする請求項10に記載のマイクロ真空計。

【請求項13】 前記基板の上面が平坦に形成されるとともに前記浮遊構造体が前記支持構造体によって前記基板の上面より上方に持ち上げるように保持される一方、前記赤外線を反射する部材が前記基板の上面に形成されることを特徴とする請求項10に記載のマイクロ真空計。

【請求項14】 前記基板の上面が平坦に形成されるとともに前記浮遊構造体が前記支持構造体によって前記基板の上面より上方に持ち上げるように保持される一方、前記赤外線を反射する部材が前記基板から延出して前記浮遊構造体の上方を覆うように形成されることを特徴とする請求項10に記載のマイクロ真空計。

【請求項15】 基板と、該基板から延びる支持構造体によって前記基板から熱分離された状態で前記基板の上方に保持された浮遊構造体と、該浮遊構造体に配置されて発熱する発熱体と、前記浮遊構造体に配置されて前記基板と前記浮遊構造体との温度差を計測する温度センサと、を備えてなるマイクロ真空計において、
 前記基板を実装するパッケージ基板に、赤外線を反射して前記浮遊構造体からの輻射によるエネルギー損失を減少させる部材が形成されたことを特徴とするマイクロ真空計。

【請求項16】 前記浮遊構造体の下方に前記基板を上下方向に貫通して空洞が形成され、該空洞を囲む前記基板の内面に、前記赤外線を反射する部材が形成されたことを特徴とする請求項15に記載のマイクロ真空計。

【請求項17】 基板と、該基板から延びる支持構造体によって前記基板から熱分離された状態で前記基板の上方に保持された浮遊構造体と、該浮遊構造体に配置されて発熱する発熱体と、前記浮遊構造体に配置されて前記基板と前記浮遊構造体との温度差を計測する温度センサと、を備えてなるマイクロ真空計において、
 前記浮遊構造体を上方から覆い囲うパッケージキャップに、赤外線を反射して前記浮遊構造体からの輻射によるエネルギー損失を減少させる部材が形成されたことを特徴とするマイクロ真空計。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • THE RITSUMEIKAN TRUST
  • Inventor
  • KIMATA, Masafumi
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM(UTILITY MODEL),DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close