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METHOD FOR EVALUATING SRAM MEMORY CELL AND MEDIUM RECORDING EVALUATION PROGRAM OF SRAM MEMORY CELL COMPUTER READABLY achieved

Foreign code F110002454
File No. 6121PCT
Posted date Mar 7, 2011
Country WIPO
International application number 2008JP054308
International publication number WO 2008/126548
Date of international filing Mar 10, 2008
Date of international publication Oct 23, 2008
Priority data
  • P2007-095928 (Mar 31, 2007) JP
Title METHOD FOR EVALUATING SRAM MEMORY CELL AND MEDIUM RECORDING EVALUATION PROGRAM OF SRAM MEMORY CELL COMPUTER READABLY achieved
Abstract A method for evaluating an SRAM memory cell in which the time required for designing an SRAM memory cell can be shortened by evaluating static noise margin in a shorter time. A medium recording an evaluation program is also provided. Coordinate conversion is performed to rotate the coordinate axis by 45 degree for the I/O characteristics data of the first inverter of an SRAM memory cell, and a first proximity curve function is specified by fitting to a proximity curve. Coordinate conversion is performed to rotate the coordinate axis by 45 degree for the I/O characteristics data of the second inverter of the SRAM memory cell, and a second proximity curve function is specified by fitting to a proximity curve. A third proximity curve function is specified by mirror inverting the second proximity curve function for the Y axis and static noise margin is specified from the difference curve function of the first proximity curve function and the third proximity curve function.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 第1のインバータと第2のインバータで構成したフリップフロップ回路でデータを記憶するSRAMメモリセルの評価方法であって、
 前記第1のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第1の入出力特性データを得る工程と、
 前記第2のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性のデータをX-Y軸変換した第2の入出力特性データを得る工程と、
 前記第1の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第1の回転変換データを生成する工程と、
 前記第2の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第2の回転変換データを生成する工程と、
 前記第1の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第1の近似曲線関数を特定する工程と、
 前記第2の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第2の近似曲線関数を特定する工程と、
 前記第1の近似曲線関数と前記第2の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数を特定する工程と、
 前記差分曲線関数の極大値と極小値を特定するとともに、極小値の絶対値と極大値のうち、小さい方の値を平方根2で除してスタティックノイズマージンを算出する工程と
を有するSRAMメモリセルの評価方法。

【請求項2】 第1のインバータと第2のインバータで構成したフリップフロップ回路でデータを記憶するSRAMメモリセルの評価方法であって、
 前記第1のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第1の入出力特性データを得る工程と、
 前記第2のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第2の入出力特性データを得る工程と、
 前記第1の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第1の回転変換データを生成する工程と、
 前記第2の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第2の回転変換データを生成する工程と、
 前記第2の回転変換データをY軸に対してミラー反転させたY軸反転データを生成する工程と、
 前記第1の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第1の近似曲線関数を特定する工程と、
 前記Y軸反転データを近似曲線でフィッティングして得られる第2の近似曲線関数を特定する工程と、
 前記第1の近似曲線関数と前記第2の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数を特定する工程と、
 前記差分曲線関数の極大値と極小値を特定するとともに、極小値の絶対値と極大値のうち、小さい方の値を平方根2で除してスタティックノイズマージンを算出する工程と
を有するSRAMメモリセルの評価方法。

【請求項3】 第1のインバータと第2のインバータで構成したフリップフロップ回路でデータを記憶するSRAMメモリセルの評価方法であって、
 前記第1のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第1の入出力特性データを得る工程と、
 前記第2のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第2の入出力特性データを得る工程と、
 前記第1の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第1の回転変換データを生成する工程と、
 前記第2の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第2の回転変換データを生成する工程と、
 前記第1の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第1の近似曲線関数を特定する工程と、
 前記第2の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第2の近似曲線関数を特定する工程と、
 前記第2の近似曲線関数をY軸に対してミラー反転させた関数である第3の近似曲線関数を得る工程と、
 前記第1の近似曲線関数と前記第3の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数を特定する工程と、
 前記差分曲線関数の極大値と極小値を特定するとともに、極小値の絶対値と極大値のうち、小さい方の値を平方根2で除してスタティックノイズマージンを算出する工程と
を有するSRAMメモリセルの評価方法。

【請求項4】 請求項1から請求項3までに記載された第1の近似曲線関数、第2の近似曲線関数もしくは第3の近似曲線関数を、3次以上の多項式で表される関数とした
 ことを特徴とするSRAMメモリセルの評価方法。

【請求項5】 請求項1から請求項3までに記載された第1の近似曲線関数、第2の近似曲線関数もしくは第3の近似曲線関数を、5次多項式で表される関数とした
 ことを特徴とするSRAMメモリセルの評価方法。

【請求項6】 第1のインバータと第2のインバータで構成したフリップフロップ回路でデータを記憶するSRAMメモリセルを評価する機能をコンピュータに実現させるSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体であって、
 前記第1のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第1の入出力特性データを得るステップと、
 前記第2のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性のデータをX-Y軸変換した第2の入出力特性データを得るステップと、
 前記第1の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第1の回転変換データを生成するステップと、
 前記第2の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第2の回転変換データを生成するステップと、
 前記第1の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第1の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記第2の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第2の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記第1の近似曲線関数と前記第2の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数を特定するステップと、
 前記差分曲線関数の極大値と極小値を特定するとともに、極小値の絶対値と極大値のうち、小さい方の値を平方根2で除してスタティックノイズマージンを算出するステップとを有するSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体。

【請求項7】 第1のインバータと第2のインバータで構成したフリップフロップ回路でデータを記憶するSRAMメモリセルを評価する機能をコンピュータに実現させるSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体であって、
 前記第1のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第1の入出力特性データを得るステップと、
 前記第2のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第2の入出力特性データを得るステップと、
 前記第1の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第1の回転変換データを生成するステップと、
 前記第2の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第2の回転変換データを生成するステップと、
 前記第2の回転変換データをY軸に対してミラー反転させたY軸反転データを生成するステップと、
 前記第1の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第1の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記Y軸反転データを近似曲線でフィッティングして得られる第2の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記第1の近似曲線関数と前記第2の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数を特定するステップと、
 前記差分曲線関数の極大値と極小値を特定するとともに、極小値の絶対値と極大値のうち、小さい方の値を平方根2で除してスタティックノイズマージンを算出するステップとを有するSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体。

【請求項8】 第1のインバータと第2のインバータで構成したフリップフロップ回路でデータを記憶するSRAMメモリセルを評価する機能をコンピュータに実現させるSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体であって、
 前記第1のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第1の入出力特性データを得るステップと、
 前記第2のインバータにおける入力電圧に対する出力電圧の特性である第2の入出力特性データを得るステップと、
 前記第1の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第1の回転変換データを生成するステップと、
 前記第2の入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行って第2の回転変換データを生成するステップと、
 前記第1の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第1の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記第2の回転変換データを近似曲線でフィッティングして得られる第2の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記第2の近似曲線関数をY軸に対してミラー反転させた関数である第3の近似曲線関数を特定するステップと、
 前記第1の近似曲線関数と前記第3の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数を特定するステップと、
 前記差分曲線関数の極大値と極小値を特定するとともに、極小値の絶対値と極大値のうち、小さい方の値を平方根2で除してスタティックノイズマージンを算出するステップとを有するSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体。

【請求項9】 請求項6から請求項8までに記載された第1の近似曲線関数、第2の近似曲線関数もしくは第3の近似曲線関数を、3次以上の多項式で表される関数とした
 ことを特徴とするSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体。

【請求項10】 請求項6から請求項8までに記載された第1の近似曲線関数、第2の近似曲線関数もしくは第3の近似曲線関数を、5次多項式で表される関数とした
 ことを特徴とするSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Kyushu Institute of Technology
  • Inventor
  • NAKAMURA, Kazuyuki
  • KOIKE, Hiroki
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH,BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM(UTILITY MODEL),DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH,GM,GT,HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME(PETTY PATENT),MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM,PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN,ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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