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ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Foreign code F110002475
File No. 8074PCT
Posted date Apr 18, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP053577
International publication number WO 2010/101224
Date of international filing Mar 4, 2010
Date of international publication Sep 10, 2010
Priority data
  • P2009-053759 (Mar 6, 2009) JP
Title ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
Abstract Disclosed is an organic semiconductor material which has high carrier mobility and high stability and can be formed into a film by a simple production process. Also disclosed is an organic thin film transistor, in which the organic semiconductor material is used in an organic semiconductor layer. Specifically disclosed is an organic semiconductor material characterized by comprising a compound having a structure represented by general formula (1). (In the formula, L represents a bivalent linkage group and has a structure formed by any one group selected from an unsubstituted or substituted vinylene group, an acethylene group, an unsubstituted or substituted aromatic cyclic hydrocarbon residue, an unsubstituted or substituted aromatic fused ring hydrocarbon residue, an unsubstituted or substituted aromatic heterocyclic hydrocarbon residue and an unsubstituted or substituted fused aromatic heterocyclic hydrocarbon residue or a combination of two or more of the aforementioned groups; R1 represents a carbonyl group, a cyano group, or a fluorine-substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; and R2 represents a halogen atom, a cyano group, a carbonyl group, or an acetyl group.)
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 下記一般式(1)で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とする有機半導体材料。
【化学式1】 (但し、式中、Lは、2価の連結基を表し、非置換または置換のビニレン基、アセチレン基、非置換または置換の芳香族環式炭化水素残基、非置換または置換の芳香族縮合環式炭化水素残基、非置換または置換の芳香族複素環式炭化水素残基、非置換または置換の縮合した芳香族複素環式炭化水素残基から選ばれる基のいずれか1つまたは2つ以上組み合わせて構成された構造であって、
R1は、カルボニル基、シアノ基、または、炭素数1から12のフッ素置換アルキル基を表し、
R2は、ハロゲン原子、シアノ基、カルボニル基、または、アセチル基を表す。)

【請求項2】 前記化合物が、結晶性を有する請求項1記載の有機半導体材料。

【請求項3】 前記化合物が、対称性を有する分子構造を有する請求項1または2に記載の有機半導体材料。

【請求項4】 前記化合物が、点対称中心を有する請求項3記載の有機半導体材料。

【請求項5】 前記一般式(1)において、R1が、炭素数1から6のフッ素置換アルキル基である請求項1から4のいずれかに記載の有機半導体材料。

【請求項6】 前記一般式(1)において、R1が、炭素数1から3のフッ素置換アルキル基である請求項1から4のいずれかに記載の有機半導体材料。

【請求項7】 前記一般式(1)において、R2が、シアノ基である請求項1から6のいずれかに記載の有機半導体材料。

【請求項8】 前記一般式(1)において、Lが、4つ以下の基からなる請求項1から7のいずれかに記載の有機半導体材料。

【請求項9】 前記一般式(1)において、Lが、非置換または置換のビニレン基、非置換または置換のベンゼン残基、非置換または置換のナフタレン残基、非置換または置換のアントラセン残基、非置換または置換のチオフェン残基、非置換または置換のチエノチオフェン残基、非置換または置換のフラン残基、非置換または置換のピロール残基、非置換または置換のチアゾール残基から選ばれる少なくとも1つまたは2つ以上組み合わせて構成された構造である請求項1から8のいずれかに記載の有機半導体材料。

【請求項10】 前記一般式(1)において、Lが、非置換のベンゼン残基、非置換のチオフェン残基あるいは非置換のチエノチオフェン残基である請求項9記載の有機半導体材料。

【請求項11】 少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、
 前記有機半導体層が、請求項1から10のいずれかに記載の有機半導体材料からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

【請求項12】 前記有機半導体層が、結晶性を有することを特徴とする請求項11記載の有機薄膜トランジスタ。

【請求項13】 少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
 請求項1から10のいずれかに記載の有機半導体材料を含む有機溶媒を塗布することによって、前記有機半導体層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

【請求項14】 少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
 請求項1から10のいずれかに記載の有機半導体材料を蒸着することによって、前記有機半導体層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Kyushu Institute of Technology
  • Inventor
  • NAGAMATSU, Shuichi
  • TAKASHIMA, Wataru
  • OKAUCHI, Tatsuo
  • MORIGUCHI, Tetsuji
  • MIZOGUCHI, Katsuhiro
  • KANETO, Keiichi
  • HAYASE, Shuzi
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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