Top > Search of International Patents > METHOD FOR SYNTHESIS OF NITROXYL RADICAL

METHOD FOR SYNTHESIS OF NITROXYL RADICAL

Foreign code F110002518
File No. QP060103-PC,S2007-0243-C0
Posted date Mar 14, 2011
Country WIPO
International application number 2008JP051899
International publication number WO 2008/093881
Date of international filing Jan 30, 2008
Date of international publication Aug 7, 2008
Priority data
  • P2007-022042 (Jan 31, 2007) JP
Title METHOD FOR SYNTHESIS OF NITROXYL RADICAL
Abstract Disclosed is a method for producing a nitroxyl radical derivative which can cause the substitution at position-2 and position-6 in a TEMPO compound readily and has high versatility. Also disclosed is a method for producing a nitroxyl radical derivative having a nitrogen nucleus labeled with 15N. Specifically, a triacetoneamine derivative is reacted with a ketone or an aldehyde in the presence of an ammonium salt or a 15N-labeled form thereof, thereby producing a 2,6-substituted-4-piperidone derivative.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】下記式:[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、C1~C20アルキル基、C2~C20アルケニル基、C2~C20アルキニル基、C4~C20アルキルジエニル基、C6~C18アリール基、C6~C20アルキルアリール基、C6~C20アリールアルキル基、C4~C20シクロアルキル基、C4~C20シクロアルケニル基、(C3~C10シクロアルキル)C1~C10アルキル基であり、但し、前記基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよく、R1、R2、R3及びR4のいずれか一つは水素原子以外の基であり、R1及びR2、及び/又は、R3及びR4は、それぞれ互いに架橋して、置換基を有していてもよいC4~C40の単環式又は多環式飽和環を形成してもよく、前記飽和環は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよい。]で表される2,6置換-4-ピペリドン誘導体の製造方法であって、下記式:[式中、Rは、水素原子又はC1~C6アルキル基であり、R’は、それぞれ独立して、C1~C6アルキル基である。]で表されるトリアセトンアミン誘導体(但し、前記式(1)で表されるトリアセトンアミン誘導体と、前記式(I)で表される2,6置換-4-ピペリドン誘導体が完全に同一の場合を除く。)と、下記式:[式中、R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、C1~C20アルキル基、C2~C20アルケニル基、C2~C20アルキニル基、C4~C20アルキルジエニル基、C6~C18アリール基、C6~C20アルキルアリール基、C6~C20アリールアルキル基、C4~C20シクロアルキル基、C4~C20シクロアルケニル基、(C3~C10シクロアルキル)C1~C10アルキル基であり、但し、前記基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよく、R5及びR6のいずれか一方は水素原子以外の基であり、R5及びR6は、互いに架橋して、置換基を有していてもよいC4~C40の単環式又は多環式飽和環を形成してもよく、前記飽和環は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよい。]で表されるケトン又はアルデヒド誘導体とを、アンモニウム塩の存在下で反応させる工程を含む2,6置換-4-ピペリドン誘導体の製造方法。

【請求項2】前記式(1)において、Rがメチル基である、請求項1記載の製造方法。

【請求項3】前記式(I)で表される2,6置換-4-ピペリドン及び前記アンモニウム塩がいずれも15Nで標識された化合物である、請求項1又は2記載の製造方法。

【請求項4】請求項1~3のいずれかに記載の方法により得られる2,6置換-4-ピペリドン誘導体。

【請求項5】下記式:[式中、R1’、R2’、R3’及びR4’は、それぞれ独立して、水素原子、C1~C20アルキル基、C2~C20アルケニル基、C2~C20アルキニル基、C4~C20アルキルジエニル基、C6~C18アリール基、C6~C20アルキルアリール基、C6~C20アリールアルキル基、C4~C20シクロアルキル基、C4~C20シクロアルケニル基、(C3~C10シクロアルキル)C1~C10アルキル基であり、但し、前記基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよく、R1’、R2’、R3’及びR4’のいずれか一つは水素原子以外の基であり、R1’及びR2’、及び/又は、R3’及びR4’は、それぞれ互いに架橋して、置換基を有していてもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよいC4~C40の単環式又は多環式飽和環を形成する(但し、R1’及びR2’、R3’及びR4’が、置換基を有さないシクロヘキサン環を形成する場合を除く。)。]で表される2,6置換-4-ピペリドン誘導体。

【請求項6】下記式:[式中、X1及びX2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよいC4~C20シクロアルキレン基、カルボニル基、アセトアミド基、スルホニル基、スルフィニル基、酸素原子又は硫黄原子である。]で表される、請求項5記載の2,6置換-4-ピペリドン誘導体。

【請求項7】下記式:で表される2,6置換-4-ピペリドン誘導体。

【請求項8】窒素核が15Nで標識されたものである、請求項4~7のいずれかに記載の2,6置換-4-ピペリドン誘導体。

【請求項9】下記式:[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、C1~C20アルキル基、C2~C20アルケニル基、C2~C20アルキニル基、C4~C20アルキルジエニル基、C6~C18アリール基、C6~C20アルキルアリール基、C6~C20アリールアルキル基、C4~C20シクロアルキル基、C4~C20シクロアルケニル基、(C3~C10シクロアルキル)C1~C10アルキル基であり、但し、前記基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよく、R1、R2、R3及びR4のいずれか一つは水素原子以外の基であり、R1及びR2、及び/又は、R3及びR4は、それぞれ互いに架橋して、置換基を有していてもよいC4~C40の単環式又は多環式飽和環を形成してもよく、前記飽和環は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよい。]で表されるニトロキシルラジカル誘導体の製造方法であって、請求項1~3のいずれかに記載の方法により得られた下記式:[式中、R1、R2、R3及びR4は、前記と同じ意味である。]で表される2,6置換-4-ピペリドン誘導体のアミノ基を酸化してニトロキシルラジカルを生成させる工程を含む、前記ニトロキシルラジカル誘導体の製造方法。

【請求項10】前記式(II)で表されるニトロキシルラジカル誘導体、前記アンモニウム塩及び前記式(I)で表される2,6置換-4-ピペリドン誘導体がいずれも15Nで標識された化合物である、請求項9記載の製造方法。

【請求項11】請求項9又は10記載の方法により得られるニトロキシルラジカル誘導体。

【請求項12】下記式:[式中、R1’、R2’、R3’及びR4’は、それぞれ独立して、水素原子、C1~C20アルキル基、C2~C20アルケニル基、C2~C20アルキニル基、C4~C20アルキルジエニル基、C6~C18アリール基、C6~C20アルキルアリール基、C6~C20アリールアルキル基、C4~C20シクロアルキル基、C4~C20シクロアルケニル基、(C3~C10シクロアルキル)C1~C10アルキル基であり、但し、前記基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよく、R1’、R2’、R3’及びR4’のいずれか一つは水素原子以外の基であり、R1’及びR2’、及び/又は、R3’及びR4’は、それぞれ互いに架橋して、置換基を有していてもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよいC4~C40の単環式又は多環式飽和環を形成する(但し、R1’及びR2’、R3’及びR4’がそれぞれ、置換基を有さないシクロヘキサン環を形成する場合を除く。)。]で表されるニトロキシルラジカル誘導体。

【請求項13】下記式:[式中、X1及びX2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子で中断されていてもよいC4~C20シクロアルキレン基、カルボニル基、アセトアミド基、スルホニル基、スルフィニル基、酸素原子又は硫黄原子である。]で表される、請求項12記載のニトロキシルラジカル誘導体。

【請求項14】下記式:で表されるニトロキシルラジカル誘導体。

【請求項15】窒素核が15Nで標識されたものである、請求項11~14のいずれかに記載のニトロキシルラジカル誘導体。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION
  • Inventor
  • UTSUMI, Hideo
  • SAKAI, Kiyoshi
  • YAMADA, Kenichi
IPC(International Patent Classification)
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close