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ORGANIC PHOTOCATALYST

Foreign code F110002559
File No. PA04-009
Posted date Mar 23, 2011
Country WIPO
International application number 2006JP308748
International publication number WO 2006/115271
Date of international filing Apr 26, 2006
Date of international publication Nov 2, 2006
Priority data
  • P2005-127338 (Apr 26, 2005) JP
Title ORGANIC PHOTOCATALYST
Abstract An organic photocatalyst that in a gas phase or a liquid phase containing water, is capable of efficiently decomposing an organic matter or an inorganic matter containing nitrogen, sulfur, phosphorus, etc. under irradiation with light (especially, visible light); a process for producing the same; and use thereof. In particular, there is provided an organic photocatalyst comprising a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, which organic photocatalyst is used to decompose an organic matter or an inorganic matter containing nitrogen, sulfur, phosphorus, etc. under light irradiation. More particularly, there is provided an organic photocatalyst of double-layer structure comprising a base material and, superimposed thereon, a p-type organic semiconductor layer and an n-type organic semiconductor layer.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】p型有機半導体とn型有機半導体とを含む有機光触媒であって、光照射下で有機物或いは窒素、硫黄又はリンを含む無機物を分解するために使用する有機光触媒。

【請求項2】p型有機半導体層及びn型有機半導体層が積層した二層構造を有する請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項3】p型有機半導体層の厚さが20~500 nm程度であり、n型有機半導体層の厚さが50~800 nm程度である請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項4】p型有機半導体層とn型有機半導体層の間に、p型有機半導体とn型有機半導体との共蒸着層を含む三層構造を有する請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項5】基体上に、p型有機半導体層及びn型有機半導体層が積層した二層構造を有する請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項6】基体上に、p型有機半導体層とn型有機半導体層の間にp型有機半導体とn型有機半導体との共蒸着層を含む三層構造を有する請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項7】p型有機半導体の材料が大環状の配位子化合物又はその金属錯体である請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項8】p型有機半導体の材料が、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、及びポルフィリン誘導体からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項7に記載の有機光触媒。

【請求項9】p型有機半導体の材料が、フタロシアニン誘導体である請求項8に記載の有機光触媒。

【請求項10】n型有機半導体の材料が多環式芳香族化合物である請求項1に記載の有機光触媒。

【請求項11】n型有機半導体の材料が、フラーレン類、カーボンナノチューブ類、電子供与体をドープした導電性高分子、ペリレン誘導体、及びナフタレン誘導体からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項10に記載の有機光触媒。

【請求項12】n型有機半導体の材料が、フラーレン類及びペリレン誘導体からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項11に記載の有機光触媒。

【請求項13】請求項5に記載の有機光触媒を製造する方法であって、基体上にn型有機半導体層とp型有機半導体層とを積層して二層構造とすることを特徴とする製造方法。

【請求項14】請求項6に記載の有機光触媒を製造する方法であって、基体上にn型(又はp型)有機半導体層を形成し、その上にn型有機半導体とp型有機半導体を共蒸着して共蒸着層を形成し、その上にp型(又はn型)有機半導体層を形成して三層構造とすることを特徴とする製造方法。

【請求項15】気相又は水相中の有機物或いは窒素、硫黄又はリンを含む無機物を分解する方法であって、光照射下で請求項1に記載の有機光触媒を有機物或いは窒素、硫黄又はリンを含む無機物と接触させて分解する方法。

【請求項16】請求項1に記載の有機光触媒及び塗料を含む塗料組成物。

【請求項17】請求項1に記載の有機光触媒を、有機物或いは窒素、硫黄又はリンを含む無機物を含む被処理水に分散させて、これに光を照射して水を処理する方法。

【請求項18】さらに、処理後に該有機光触媒をろ過して回収し、再度水処理に供する請求項17に記載の水処理方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • OSAKA UNIVERSITY
  • HIROSAKI UNIVERSITY
  • KANSAI TECHNOLOGY LICENSING ORGANIZATION CO., LTD.
  • Inventor
  • NAGAI, Keiji
  • ABE, Toshiyuki
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE,AG,AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,KM,KN,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,LY,MA,MD,MG,MK,MN,MW,MX,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PG,PH,PL,PT,RO,RU,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,SY,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VC,VN,YU,ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,NL,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(BW,GH,GM,KE,LS,MW,MZ,NA,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)

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