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NEAR INFRARED STRONGLY LUMINOUS RARE EARTH COMPLEX

Foreign code F110002756
File No. S2008-0211-C0
Posted date Apr 13, 2011
Country WIPO
International application number 2009JP000866
International publication number WO 2009/110199
Date of international filing Feb 26, 2009
Date of international publication Sep 11, 2009
Priority data
  • P2008-052779 (Mar 4, 2008) JP
Title NEAR INFRARED STRONGLY LUMINOUS RARE EARTH COMPLEX
Abstract Disclosed is a near infrared strongly luminous rare earth complex that has excellent luminescence characteristics in a near infrared region. The near infrared strongly luminous rare earth complex is characterized in that the structure of the near infrared strongly luminous rare earth complex is represented by the following general formula (1) wherein Ln(III) represents a trivalent rare earth ion; n is an integer of 3 or more; Xs, which may be the same or different, represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a C1-C20 group, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a sulfonyl group, a cyano group, asilyl group, a phosphonic acid group, a diazo group, or a mercapto group; and Z represents a bidentate ligand.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を3個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を3個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体。

【請求項2】 錯体構造が以下の一般式(1)
【化学式1】(式中、Ln(III)は3価の希土類イオンを示す。nは3以上の整数を示し、Xは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、C1からC20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Zは二座の配位子を示す。)
で表されることを特徴とする請求項1に記載の近赤外強発光性希土類錯体。

【請求項3】 Zが一般式(2)
【化学式2】(式中、R1及びR2は同一又は異なって、水素原子を含まないC1からC22の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。)
で表されることを特徴とする請求項1又は2に記載の近赤外強発光性希土類錯体。

【請求項4】 LnがYb、Er、Ndから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の近赤外強発光性希土類錯体。

【請求項5】 ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を3個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を3個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いたセキュリティインク。

【請求項6】 錯体構造が以下の一般式(1)
【化学式1】(式中、Ln(III)は3価の希土類イオンを示す。nは3以上の整数を示し、Xは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、C1からC20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Zは二座の配位子を示す。)
 である請求項5に記載のセキュリティインク。

【請求項7】 Zが一般式(2)
【化学式2】(式中、R1及びR2は同一又は異なって、水素原子を含まないC1からC22の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。)
で表されることを特徴とする請求項5又は6に記載のセキュリティインク。

【請求項8】 LnがYb、Er、Ndから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項5~7のいずれかに記載のセキュリティインク。

【請求項9】 ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を3個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を3個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いた発光光源。

【請求項10】 錯体構造が以下の一般式(1)
【化学式1】(式中、Ln(III)は3価の希土類イオンを示す。nは3以上の整数を示し、Xは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、C1からC20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Zは二座の配位子を示す。)
 である請求項9に記載の発光光源。

【請求項11】 Zが一般式(2)
【化学式2】(式中、R1及びR2は同一又は異なって、水素原子を含まないC1からC22の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。)
で表されることを特徴とする請求項9又は10に記載のセキュリティインク。

【請求項12】 LnがYb、Er、Ndから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項9~11のいずれかに記載の発光光源。

【請求項13】 ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を3個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を3個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いた測定用標識剤。

【請求項14】 錯体構造が以下の一般式(1)
【化学式1】(式中、Ln(III)は3価の希土類イオンを示す。nは3以上の整数を示し、Xは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、C1からC20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Zは二座の配位子を示す。)
 である請求項13に記載の測定用標識剤。

【請求項15】 Zが一般式(2)
【化学式2】(式中、R1及びR2は同一又は異なって、水素原子を含まないC1からC22の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。)
で表されることを特徴とする請求項13又は14に記載のセキュリティインク。

【請求項16】 LnがYb、Er、Ndから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項13~15のいずれかに記載の測定用標識剤。

【請求項17】 有機化合物と12座で配位結合したYb錯体を配合した物品の近赤外光を測定することにより、前記物品を識別する方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • National University Corporation Shizuoka University
  • Inventor
  • HASEGAWA, Yasuchika
  • KAWAI, Hideki
  • KAWAI, Tsuyoshi
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM(UTILITY MODEL),DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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