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PROCESS FOR PRODUCING COLLOIDAL CRYSTAL AND COLLOIDAL CRYSTAL meetings

Foreign code F110002882
File No. S2010-0168-N0
Posted date May 6, 2011
Country WIPO
International application number 2009JP058500
International publication number WO 2009/145031
Date of international filing Apr 30, 2009
Date of international publication Dec 3, 2009
Priority data
  • P2008-140089 (May 28, 2008) JP
Title PROCESS FOR PRODUCING COLLOIDAL CRYSTAL AND COLLOIDAL CRYSTAL meetings
Abstract Provided is a process for producing colloidal crystals from which a large single crystal reduced in lattice defects and unevenness can be easily produced at low cost without fail. The process for colloidal crystal production comprises: preparing a colloidal polycrystal dispersion in which colloidal crystals precipitate at a given temperature (preparation step); introducing into a vessel the colloidal polycrystal dispersion in the state of containing fine colloidal polycrystals precipitated (introduction step); and dissolving the colloidal polycrystals and then recrystallizing the dissolved polycrystals (recrystallization step). The crystals thus obtained have fewer lattice defects and less unevenness than the original polycrystals.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 所定の温度でコロイド多結晶が融解するコロイド多結晶分散液を用意する準備工程と、
 該コロイド多結晶分散液を容器に収容する収容工程と、
 該容器内のコロイド多結晶分散液の一部の領域又は全部の領域の温度をコロイド結晶が析出しない温度とした後、再びコロイド結晶が析出する温度に変化させることによってコロイド多結晶を再結晶させる再結晶工程と、
 を有することを特徴とするコロイド結晶の製造方法。

【請求項2】 前記再結晶工程で、温度調節手段によりコロイド多結晶分散液の一部をコロイド結晶が融解する温度に設定して融解領域を形成させ、該融解領域を移動させるゾーンメルト法によって再結晶させることを特徴とする請求項1記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項3】 融解領域の移動は前記温度調節手段と前記容器との相対移動を可能とする移動手段によって行なうことを特徴とする請求項2記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項4】 収容工程において、コロイド多結晶分散液は略平行に対面する2つの壁の間に充填されることを特徴とする請求項1又は3に記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項5】 コロイド多結晶分散液には温度変化によって解離度が変化する弱酸又は弱塩基が添加されており、温度変化によるpHの変化によってコロイド結晶が析出することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項6】 コロイド多結晶分散液のコロイド粒子はシリカ粒子であり、分散媒は水であり、弱塩基はピリジン及び/又はピリジン誘導体であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項7】 コロイド結晶を成長させた後、ゲル化により固化することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項8】 前記再結晶工程では、温度調節手段により容器の一端側から冷却又は加熱してコロイド多結晶分散液中のコロイド多結晶を融解させた後、該温度調節手段による冷却又は加熱を停止して再結晶させることを特徴とする請求項1記載のコロイド結晶の製造方法。

【請求項9】 請求項1乃至8のいずれか1項のコロイド結晶の製造方法によって得られたコロイド結晶。

【請求項10】 吸収スペクトル及び反射スペクトルにおける半値幅は10nm以下であることを特徴とする請求項9記載のコロイド結晶。

【請求項11】 回折波長の空間不均一性は0.2%以下であることを特徴とする請求項9又は10記載のコロイド結晶。

【請求項12】 回折波長の空間不均一性が0.2%以下であり、該回折波長での透過率が厚さ1mmにおいて0.1%以下であり、結晶格子面の層数が3000層以上であり、最大径が1cm以上の単結晶からなることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項記載のコロイド結晶。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Nagoya City University
  • Fuji chemical Co., Ltd.
  • Inventor
  • YAMANAKA, Junpei
  • SHINOHARA, Mariko
  • TOYOTAMA, Akiko
  • YOSHIZAWA, Koki
  • ONDA, Sachiko
  • YONESE, Masakatsu
  • UCHIDA, Fumio
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM(UTILITY MODEL),DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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