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STRUCTURAL ANALYSIS DEVICE AND STRUCTURAL ANALYSIS METHOD THEREFOR

Foreign code F110002990
File No. S2008-0963-C0
Posted date May 10, 2011
Country WIPO
International application number 2009JP004467
International publication number WO 2010/029735
Date of international filing Sep 10, 2009
Date of international publication Mar 18, 2010
Priority data
  • P2008-232489 (Sep 10, 2008) JP
Title STRUCTURAL ANALYSIS DEVICE AND STRUCTURAL ANALYSIS METHOD THEREFOR
Abstract The molecular structural analysis device (10) is provided with a light source (1) that applies excitation light to a measurement sample (2) that comprises a molecule with a bound rare earth metal complex that is the subject of the structural analysis, a measurement unit (3) that receives light emitted from the measurement sample (2) and measures the intensities of the light spectra, a computing unit (4) that, of the intensities of the measured spectra, normalizes the intensities of the spectra comprising line spectra arising from electric dipole transitions with respect to the intensity of the line spectrum at one wavelength in the line spectra that arise from electric dipole transitions, and an output unit (7) that outputs the normalized spectrum. A device and method that can analyze very fine dynamic structural changes are thereby provided.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 希土類錯体が結合した、構造解析の対象となる分子を含む測定試料に対して励起光を照射する光源と、
 上記測定試料から放射された光を受光し、当該光のスペクトルの強度を計測する計測部と、
 計測した上記スペクトルの強度のうち、電気双極子遷移に基づく線スペクトルを含むスペクトルの強度を、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける1つの波長での線スペクトルの強度で規格化する演算部と、
 規格化した上記スペクトルを出力する出力部と、
を備えていることを特徴とする構造解析装置。

【請求項2】 希土類錯体が結合した、構造解析の対象となる分子を含む測定試料に対して励起光を照射する光源と、
 上記測定試料から放射された光を複数回受光し、当該各光のスペクトルの強度を計測する計測部と、
 計測した上記各スペクトルの強度に対して、スペクトルの強度のうち、電気双極子遷移に基づく線スペクトルを含むスペクトルの強度を、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける1つの波長での線スペクトルの強度で規格化する演算部と、
 規格化した上記各スペクトルを出力する出力部と、
を備えていることを特徴とする構造解析装置。

【請求項3】 構造解析の対象となる上記分子には複数種類の希土類錯体が結合しており、
 上記演算部は、計測した上記スペクトルの強度のうち、各希土類錯体に対応する電気双極子遷移に基づく線スペクトルを含む各スペクトルの強度を、各希土類錯体に対応する、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける1つの波長での各線スペクトルの強度でそれぞれ規格化することを特徴とする請求項1又は2に記載の構造解析装置。

【請求項4】 上記計測部は、上記スペクトルの強度として、上記測定試料から放射された光の円偏光発光のg値を計測することを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の構造解析装置。

【請求項5】 磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける上記1つの波長は、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける最大吸収波長であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の構造解析装置。

【請求項6】 構造解析の対象となる上記分子がタンパク質であることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の構造解析装置。

【請求項7】 更に、構造解析部を備え、
 上記演算部は、規格化した上記スペクトルを上記構造解析部へ出力し、
 上記構造解析部は、規格化された上記スペクトルに基づいて構造解析を行うことを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の構造解析装置。

【請求項8】 希土類錯体が結合した、構造解析の対象となる分子を含む測定試料に対して励起光を照射する照射工程と、
 上記測定試料から放射された光を受光し、該光のスペクトルの強度を計測する計測工程と、
 計測した上記スペクトルの強度のうち、電気双極子遷移に基づく線スペクトルを含むスペクトルの強度を、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける1つの波長での線スペクトルの強度で規格化する演算工程と、
 規格化した上記スペクトルにより、構造解析の対象となる上記分子の構造を解析する構造解析工程と、
を含むことを特徴とする構造解析方法。

【請求項9】 構造解析の対象となる上記分子には複数種類の希土類錯体が結合しており、
 上記演算工程では、計測した上記スペクトルの強度のうち、各希土類錯体に対応する電気双極子遷移に基づく線スペクトルを含む各スペクトルの強度を、各希土類錯体に対応する、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける1つの波長での各線スペクトルの強度でそれぞれ規格化することを特徴とする請求項8に記載の構造解析方法。

【請求項10】 上記計測工程では、上記スペクトルの強度として、上記測定試料から放射された光の円偏光発光のg値を計測することを特徴とする請求項8又は9に記載の構造解析方法。

【請求項11】 磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける上記1つの波長は、磁気双極子遷移に基づく線スペクトルにおける最大吸収波長であることを特徴とする請求項8~10の何れか1項に記載の構造解析方法。

【請求項12】 構造解析の対象となる上記分子がタンパク質であることを特徴とする請求項8~11の何れか1項に記載の構造解析方法。

【請求項13】 請求項8~12の何れか1項に記載の構造解析方法を用いて、時間の経過による構造変化を解析することを特徴とする構造解析方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • Inventor
  • HASEGAWA, Yasuchika
  • KAWAI, Tsuyoshi
  • YUASA, Junpei
  • KATAOKA, Mikio
  • YAMADA, Kohei
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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