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Point contact array, not circuit, and electronic circuit comprising the same

外国特許コード F110003109
整理番号 A041-39US2
掲載日 2011年6月9日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 91836004
公報番号 20050014325
公報番号 7473982
出願日 平成16年8月16日(2004.8.16)
公報発行日 平成17年1月20日(2005.1.20)
公報発行日 平成21年1月6日(2009.1.6)
国際出願番号 JP2001009464
国際公開番号 WO2002037572
国際出願日 平成13年10月29日(2001.10.29)
国際公開日 平成14年5月10日(2002.5.10)
優先権データ
  • 特願2000-334686 (2000.11.1) JP
  • 特願2001-138103 (2001.5.9) JP
  • 2001WO-JP09464 (2001.10.29) WO
  • 2003US-10363259 (2003.3.7) US
発明の名称 (英語) Point contact array, not circuit, and electronic circuit comprising the same
発明の概要(英語) (US7473982)
A NOT circuit realized using an atomic switch serving as a two terminal device and including a first electrode made of a compound conductive material having ionic conductivity and electronic conductivity and a second electrode made of a conductive substance.
Ag2S, Ag2Se, Cu2S, or Cu2Se is preferably used as the compound conductive material.
特許請求の範囲(英語) [claim1]
1. A NOT circuit comprising: a first electrode made of a compound conductive material which, is Ag2S, Ag2Se, Cu2S, or Cu2Se including mobile ions and having ionic conductivity and electric conductivity;
and
a second electrode made of a conductive substance and spaced apart from the first electrode;
and
a resistor and a capacitor, each of which serves as a two-terminal device;
wherein the mobile ions can form a bridge between the first and second electrodes.
[claim2]
2. The NOT circuit according to claim 1, further comprising a diode in addition to the resistor and the capacitor.
[claim3]
3. The NOT circuit according to claim 1, wherein a voltage to be applied to the first and second electrodes is controlled through the capacitor to control the conductance between the first and second electrodes by charging and discharging the capacitor.
  • 発明者/出願人(英語)
  • AONO MASAKAZU
  • HASEGAWA TSUYOSHI
  • TERABE KAZUYA
  • NAKAYAMA TOMONOBU
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • B82Y010/00
  • G11C011/56C
  • G11C013/00R1
  • G11C013/00R5
  • G11C013/00R5B
  • G11C013/02N
  • H01L027/24H
  • H01L029/24B
  • H01L029/26
  • H01L029/45
  • H01L045/08M
  • H01L045/12E4
  • H01L045/14B2
  • H01L045/14B4
  • H01L045/14C2
  • H01L045/16D6
  • H03K017/54B
  • H03K019/02
  • S11C213/77
  • S11C213/81
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Quantum Effects and Related Physical Phenomena AREA
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