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HIGHER-ORDER SILANE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE WITH FILM

Foreign code F110003196
File No. E08603WO
Posted date Jun 22, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP050362
International publication number WO 2010/079842
Date of international filing Jan 7, 2010
Date of international publication Jul 15, 2010
Priority data
  • P2009-003554 (Jan 9, 2009) JP
Title HIGHER-ORDER SILANE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE WITH FILM
Abstract Disclosed is a higher-order silane composition containing a higher-order silane compound and a solvent, wherein the solvent contains a cyclic hydrocarbon which has one or two double bonds, does not have an alkyl group, contains only carbon and hydrogen, and has a refractive index of 1.40 to 1.51, a dielectric constant of 3.0 or less, and a molecular weight of 180 or less. Using the higher-order silane composition, a high-quality film which is safe and has a desired film thickness can be formed by a liquid-phase process.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 高次シラン化合物および溶媒を含有する組成物であって、
前記溶媒が、二重結合を1つまたは2つ有し、アルキル基を有さず、炭素および水素のみから構成され、屈折率が1.40~1.51であり、比誘電率が3.0以下であり、そして分子量が180以下である環状炭化水素を含有してなることを特徴とする、高次シラン組成物。

【請求項2】 前記高次シラン化合物が、下記式(2)および(3)
 SiiX2i   (2)
 SijX2j?2   (3)
(上記式中、Xは、それぞれ、水素原子またはハロゲン原子であり、iは3~8の整数であり、jは4~14の整数である。)
のそれぞれで表される化合物よりなる群から選択される少なくとも1種のシラン化合物に紫外線を照射して得られたものである、請求項1に記載の高次シラン組成物。

【請求項3】 前記高次シラン組成物における高次シラン化合物の濃度が1~50重量%である、請求項1または2に記載の高次シラン組成物。

【請求項4】 前記高次シラン組成物における溶媒が、前記環状炭化水素のみからなるものである、請求項1または2に記載の高次シラン組成物。

【請求項5】 前記高次シラン組成物における溶媒が、前記環状炭化水素および分子中にシリコン原子を有する化合物からなる溶媒である、請求項1または2に記載の高次シラン組成物。

【請求項6】 基板上に、請求項1または2に記載の高次シラン組成物を供給する第1の工程と、
該高次シラン組成物から溶媒を除去して高次シラン化合物の被膜を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする、膜付基板の製造方法。

【請求項7】 前記第2の工程の後に、さらに前記高次シラン化合物の被膜に対して非酸化性雰囲気中で熱処理および光照射処理よりなる群から選択される少なくとも1種の処理を施して前記高次シラン化合物をシリコンに変換してシリコン膜とする第3の工程を有することを特徴とする、請求項6に記載の膜付基板の製造方法。

【請求項8】 前記第2の工程の後に、さらに前記高次シラン化合物の被膜に対して非酸化性雰囲気中で熱処理を施して前記高次シラン化合物をシリコンに変換し、次いで該シリコンに対して酸化性雰囲気中で熱処理を施して前記シリコンを酸化シリコンに変換して酸化シリコン膜とする第3の工程を有することを特徴とする、請求項6に記載の膜付基板の製造方法。

【請求項9】 前記第2の工程の後に、さらに前記高次シラン化合物の被膜に対して酸化性雰囲気中で熱処理および光照射処理よりなる群から選択される少なくとも1種の処理を施して前記高次シラン化合物を酸化シリコンに変換して酸化シリコン膜とする第3の工程を有することを特徴とする、請求項6に記載の膜付基板の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Japanese Organization JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • SHIMODA, Tatsuya
  • MATSUKI, Yasuo
  • MASUDA, Takashi
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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