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Amorphous oxide and thin film transistor 実績あり

外国特許コード F110003744
整理番号 E06015US3
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 98496011
公報番号 20110101352
公報番号 9269826
出願日 平成23年1月5日(2011.1.5)
公報発行日 平成23年5月5日(2011.5.5)
公報発行日 平成28年2月23日(2016.2.23)
国際出願番号 JP2005003273
国際公開番号 WO2005088726
国際出願日 平成17年2月28日(2005.2.28)
国際公開日 平成17年9月22日(2005.9.22)
優先権データ
  • 特願2004-071477 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
  • 2005US-10592431 (2005.2.28) US
  • 2005WO-JP03273 (2005.2.28) WO
発明の名称 (英語) Amorphous oxide and thin film transistor 実績あり
発明の概要(英語) (US9269826)
The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide.
In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide.
In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used in the channel layer 2.
特許請求の範囲(英語) [claim1]
1. A thin film transistor device comprising: a drain electrode;
a source electrode;
a channel layer contacting the drain electrode and the source electrode, wherein the channel layer is formed of an amorphous InxSn1-xOxide (0.8 <= x <= 0.9) consisting of SnO2 in the presence of In2O3 as a host oxide, further the channel layer is prepared by a sputtering method or a pulsed laser deposition method using a In2O3 -- SnO2 polycrystalline sinter as a target in an atmosphere containing oxygen gas, and
the channel layer having a transparent, semi-insulating property represented by the electron mobility is more than 1 cm2/(V.sec) and the electron carrier concentration is 1018/cm3 or less as measured by Hall-effect measurement at room temperature;
a gate electrode; and
a gate insulating film positioned between the gate electrode and the channel.
  • 発明者/出願人(英語)
  • HOSONO HIDEO
  • HIRANO MASAHIRO
  • OTA HIROMICHI
  • KAMIYA TOSHIO
  • NOMURA KENJI
  • CANON
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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