Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
| 外国特許コード | F110003785 |
|---|---|
| 整理番号 | E06736US2 |
| 掲載日 | 2011年7月4日 |
| 出願国 | アメリカ合衆国 |
| 出願番号 | 91490610 |
| 公報番号 | 20110037052 |
| 公報番号 | 08178373 |
| 出願日 | 平成22年10月28日(2010.10.28) |
| 公報発行日 | 平成23年2月17日(2011.2.17) |
| 公報発行日 | 平成24年5月15日(2012.5.15) |
| 発明の名称 （英語） |
Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
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| 国際特許分類(IPC) | |
| 参考情報 （研究プロジェクト等） | ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA |
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