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Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices

外国特許コード	F110003785
整理番号	E06736US2
掲載日	2011年7月4日
出願国	アメリカ合衆国
出願番号	91490610
公報番号	20110037052
公報番号	08178373
出願日	平成22年10月28日(2010.10.28)
公報発行日	平成23年2月17日(2011.2.17)
公報発行日	平成24年5月15日(2012.5.15)
発明の名称（英語）	Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
発明者/出願人（英語）	Schmidt, Mathew C.; Santa Barbara CA [US] Kim, Kwang Choong; Seoul [KR] Sato, Hitsohi; Kanagawa [JP] DenBaars, Steven P.; Goleta CA [US] Speck, James S.; Goleta CA [US] Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US] The Regents of the University of California, Oakland CA [US] Japan Science and Technology Agency, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)	H01L 21/00 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 H01L 33/00 光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部
参考情報（研究プロジェクト等）	ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA

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