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Amorphous oxide and thin film transistor

外国特許コード	F110003904
整理番号	E06015WO
掲載日	2011年7月6日
出願国	欧州特許庁（ＥＰＯ）
出願番号	05719601
公報番号	1737044
公報番号	1737044
出願日	平成17年2月28日(2005.2.28)
公報発行日	平成18年12月27日(2006.12.27)
公報発行日	平成26年12月10日(2014.12.10)
国際出願番号	JP2005003273
国際公開番号	WO2005088726
国際出願日	平成17年2月28日(2005.2.28)
国際公開日	平成17年9月22日(2005.9.22)
優先権データ	2005JP003273 (2005.2.28) WO 特願2004-071477 (2004.3.12) JP 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
発明の名称（英語）	Amorphous oxide and thin film transistor
発明の概要（英語）	The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 10 18 /cm 3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide. In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 10 18 /cm 3 is used in the channel layer 2.(see diagramm)
特許請求の範囲（英語）	[claim1] 1. A thin film transistor, comprising: a source electrode (6); a drain electrode (5); a gate electrode (4); a channel layer (2); and a gate insulating film (3) positioned between the gate electrode (4) and the channel layer (2), characterized in that the channel layer (2) is formed from a deposited thin film of a transparent amorphous oxide selected from: SnO 2 which is formed as amorphous phase in the presence of In 2O 3 as a host oxide and is represented by In xSn 1-x oxides (0.8 <= x < 1), Indium oxide represented by In 2O 3, or Indium oxide containing neither Zn nor Sn and partly replaced In by Ga and represented by In-Ga oxides, wherein the In-Ga oxides are deposited from a target having a composition of (In 2O 3) 1-x-(Ga 2O 3) x (0 < x <= 0.1), wherein the oxide has an electron mobility of 1 cm 2/(V.sec) or more at room temperature and an electron carrier concentration of less than 10 18/cm **3 as measured by Hall-effect measurement, and the oxide is deposited at room temperature by a sputtering method or pulsed laser method in an atmosphere containing oxygen gas and without adding an impurity ion for increasing the electrical resistance. [claim2] 2. The thin film transistor according to claim 1, wherein the amorphous oxide is formed on a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate, or a plastic film. [claim3] 3. The thin film transistor according to claim 1, wherein a gate insulating layer (3) comprises one of Al 2O 3, Y 2O 3, and HfO 2 or a mixed crystal compound containing at least two of these compounds.
出願人（英語）	JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
発明者（英語）	HOSONO HIDEO HIRANO MASAHIRO OTA HIROMICHI KAMIYA TOSHIO NOMURA KENJI
国際特許分類(IPC)	H01L 29/786 薄膜トランジスタ C23C 14/00 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 C23C 14/08 酸化物 C23C 14/28 波動エネルギーまたは粒子放射によるもの C23C 14/34 スパッタリング G02F 1/1345 電極をセル端子に接続する導体 G02F 1/1368 スイッチング素子が三端子の素子であるもの H01L 21/02 半導体装置またはその部品の製造または処理 H01L 21/363 物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング H01L 21/77 １つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理 H01L 21/84 基板が半導体本外以外のもの，例．絶縁体本外のもの H01L 27/12 基板が半導体本体以外のもの，例．絶縁体本体
参考情報（研究プロジェクト等）	ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA