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SOLAR CELL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

Foreign code F110004328
File No. S2011-0037-N0
Posted date Jul 14, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP057846
International publication number WO 2010/126162
Date of international filing Apr 27, 2010
Date of international publication Nov 4, 2010
Priority data
  • P2009-108593 (Apr 28, 2009) JP
Title SOLAR CELL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Abstract Disclosed is a solar cell which is configured by providing an anode electrode and a cathode electrode so as to sandwich a semiconductor layer for photoelectric conversion therebetween, and providing an electrode for applying an electric field to the cathode electrode with an insulating film interposed therebetween. Light is made to be incident on the semiconductor layer from a direction perpendicular to the direction connecting between the anode electrode and the cathode electrode in the shortest distance. The band gap or HOMO-LUMO gap of the semiconductor layer is reduced in stages and/or in a continuous manner in order along the direction of light traveling.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】半導体層と、
 上記半導体層を挟むように設けられた第1の電極および第2の電極と、
 上記半導体層の面に垂直な方向に電場を印加するための第3の電極とを有し、
 上記第3の電極は上記第1の電極および上記第2の電極のうちの一方の外側に絶縁層を介して設けられていることを特徴とする太陽電池。

【請求項2】上記半導体層と上記第1の電極および上記第2の電極とがオーミック接触していることを特徴とする請求の範囲1記載の太陽電池。

【請求項3】上記半導体層のうちの上記第1の電極および上記第2の電極が接触する部分以外の部分は真性半導体、ノンドープ半導体または低不純物濃度の半導体からなることを特徴とする請求の範囲2記載の太陽電池。

【請求項4】上記第1の電極および上記第2の電極間を最短で結ぶ直線に交差する方向から上記半導体層に光を入射させることを特徴とする請求の範囲1記載の太陽電池。

【請求項5】上記半導体層のバンドギャップまたはHOMO?LUMOギャップが上記光の進行方向に沿って順に段階的および/または連続的に減少していることを特徴とする請求の範囲4記載の太陽電池。

【請求項6】動作時に、上記第1の電極および上記第2の電極間を最短で結ぶ直線の方向の電場の大きさが、上記光の入射方向の上記半導体層のバンドギャップまたはHOMO?LUMOギャップの減少により与えられる平均電場の大きさより大きく設定されることを特徴とする請求の範囲5記載の太陽電池。

【請求項7】上記第1の電極、上記半導体層、上記第2の電極および上記第3の電極が所定の中心の周りに渦巻き状または同心形状に形成されていることを特徴とする請求の範囲1記載の太陽電池。

【請求項8】上記第1の電極、上記半導体層、上記第2の電極および上記第3の電極が繊維状に形成されていることを特徴とする請求の範囲1記載の太陽電池。

【請求項9】上記太陽電池は全体として板状または布状であることを特徴とする請求の範囲1記載の太陽電池。

【請求項10】光電変換層と、
 上記光電変換層を挟むように設けられた第1の電極および第2の電極と、
 上記光電変換層の面に垂直な方向に電場を印加するための第3の電極とを有し、
 上記第3の電極は上記第1の電極および上記第2の電極のうちの一方の外側に絶縁層を介して設けられていることを特徴とする光電変換素子。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY
  • Inventor
  • ISHIBASHI, Akira
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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