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SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SOLAR CELL meetings

Foreign code F110004338
File No. S2009-0680-C0
Posted date Jul 14, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP057936
International publication number WO 2010/131639
Date of international filing May 11, 2010
Date of international publication Nov 18, 2010
Priority data
  • P2009-115337 (May 12, 2009) JP
  • P2009-185666 (Aug 10, 2009) JP
Title SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SOLAR CELL meetings
Abstract Disclosed is a semiconductor device that includes: a silicon layer (12); a middle silicide layer (28) that is provided on top of the aforementioned silicon layer (12), has an opening, and contains barium silicide; and an upper silicide layer (14) that covers the middle silicide layer (28), contacts the silicon layer (12) through the aforementioned opening, contains barium silicide, and has a higher dopant concentration than the middle silicide layer (28).
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 シリコン層と、
前記シリコン層上に設けられ、開口を有し、バリウムシリサイドを含む中間シリサイド層と、
 中間シリサイド層を覆い、前記開口を介しシリコン層に接するように設けられ、前記中間シリサイド層よりドーパント濃度が高くバリウムシリサイドを含む上部シリサイド層と、
を含む半導体装置。

【請求項2】 前記開口の開口率は、0.5以上1未満である請求項1記載の半導体装置。

【請求項3】 前記シリコン層は、前記中間シリサイド層よりドーパント濃度が高い請求項1または2記載の半導体装置。

【請求項4】 前記シリコン層と前記上部シリサイド層とは、異なる導電型である請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。

【請求項5】 前記シリコン層と前記上部シリサイド層とはトンネル接合を形成する請求項4記載の半導体装置。

【請求項6】 前記中間シリサイド層および前記上部シリサイド層は、バリウムシリサイドからなる請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置。

【請求項7】 シリコン層上に、前記シリコン層の表面が露出するような開口を有し、バリウムシリサイドを含む中間シリサイド層を形成する工程と、
 中間シリサイド層を覆い、前記開口を介しシリコン層に接するように、前記中間シリサイド層よりドーパント濃度が高くバリウムシリサイドを含む上部シリサイド層を形成する工程と、
を含み、
 前記中間シリサイド層を形成する工程は、前記シリコン層上にバリウムを堆積させ、前記バリウムを前記シリコン層と反応させることにより前記中間シリサイド層を形成する工程である半導体装置の製造方法。

【請求項8】 前記上部シリサイド層を形成する工程は、前記中間シリサイド層上および前記シリコン層上にドーパント、シリコンおよびバリウムを同時に蒸着することにより前記上部シリサイド層を形成する工程である請求項7記載の半導体装置の製造方法。

【請求項9】 シリコン層と、
 前記シリコン層上に形成されたトンネル接合層と、
 前記トンネル接合層上に形成され、バリウムシリサイドを含むシリサイド層からなるpn接合と、前記シリコン層からキャリアが供給される第1電極と、
 前記シリサイド層からキャリアが供給される第2電極と、
 を具備する太陽電池。

【請求項10】 前記シリコン層は第1導電型であり、
 前記トンネル接合層は、前記シリコン層上に形成された前記シリコン層よりドーパント濃度の高い前記第1導電型であるトンネルシリコン層と、前記トンネルシリコン層上に形成され前記第1導電型の反対の導電型である第2導電型でありバリウムシリサイドを含むトンネルシリサイド層と、を含み、
 前記シリサイド層は、前記トンネル接合層上に形成され前記トンネルシリサイド層よりドーパント濃度が低い前記第2導電型でありバリウムシリサイドを含む第2シリサイド層と、前記第2シリサイド層上に形成され前記第1導電型でありバリウムシリサイドを含む第1シリサイド層と、を含む請求項9記載の太陽電池。

【請求項11】 前記トンネルシリコン層と前記トンネルシリサイド層との界面に形成され、前記トンネルシリコン層と前記トンネルシリサイド層とが直接接するような開口を有し、前記トンネルシリサイド層よりドーパント濃度の低く、バリウムシリサイドを含む中間シリサイド層を具備する請求項10記載の太陽電池。

【請求項12】 前記開口の開口率は、0.5以上1未満である請求項11記載の太陽電池。

【請求項13】 前記シリサイド層は、バリウムシリサイドからなる請求項9から12のいずれか一項記載の太陽電池。

【請求項14】 前記シリサイド層は、ストロンチウムバリウムシリサイドからなる請求項9から12のいずれか一項記載の太陽電池。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • UNIVERSITY OF TSUKUBA
  • TOHOKU UNIVERSITY
  • Inventor
  • SUEMASU, Takashi
  • USAMI, Noritaka
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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