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GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD

外国特許コード F110004344
整理番号 E06742WO
掲載日 2011年7月14日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2008US077056
国際公開番号 WO 2009/039398
国際出願日 平成20年9月19日(2008.9.19)
国際公開日 平成21年3月26日(2009.3.26)
優先権データ
  • 60/973,662 (2007.9.19) US
発明の名称 (英語) GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD
発明の概要(英語) A gallium nitride crystal with a polyhedron shape having exposed {10-10} m-planes and an exposed (000-1) N-polar c-plane, wherein a surface area of the exposed (000-1) N-polar c-plane is more than 10 mm2 and a total surface area of the exposed {10-10} m-planes is larger than half of the surface area of (000-1) N-polar c-plane. The GaN bulk crystals were grown by an ammonothermal method with a higher temperature and temperature difference than is used conventionally, and using an autoclave having a high-pressure vessel with an upper region and a lower region. The temperature of the lower region of the high-pressure vessel is at or above 550 deg.C, the temperature of the upper region of the high-pressure vessel is set at or above 500 deg.C, and the temperature difference between the lower and upper regions is maintained at or above 30 deg.C. GaN seed crystals having a longest dimension along the c-axis and exposed large area m-planes are used.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • HASHIMOTO, Tadao
  • NAKAMURA, Shuji
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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