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Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method

外国特許コード F110004524
整理番号 A242-27WO
掲載日 2011年7月19日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200480014155
公報番号 1795376
公報番号 1795376
出願日 平成16年5月21日(2004.5.21)
公報発行日 平成18年6月28日(2006.6.28)
公報発行日 平成23年4月20日(2011.4.20)
優先権データ
  • 特願2003-146480 (2003.5.23) JP
  • 特願2004-037866 (2004.2.16) JP
発明の名称 (英語) Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY
  • 発明者(英語)
  • MUKASA KOICHI
  • MATSUMOTO KAZUHIKO
  • ISHII ATSUSHI
  • TAKEDA SEIJI
  • SAWAMURA MAKOTO
  • SUBAGYO AGUS
  • HOSOI HIROTAKA
  • SUEOKA KAZUHISA
  • KIDA HIROSHI
  • SAKODA YOSHIHIRO
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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