High-efficiency (B,Al,Ga,In)N group light-emitting diode by surface roughness treatment
| 外国特許コード | F110004559 |
|---|---|
| 整理番号 | E06704CN1 |
| 掲載日 | 2011年7月19日 |
| 出願国 | 中華人民共和国 |
| 出願番号 | 200910142642 |
| 公報番号 | 101604721 |
| 公報番号 | 101604721 |
| 出願日 | 平成15年12月9日(2003.12.9) |
| 公報発行日 | 平成21年12月16日(2009.12.16) |
| 公報発行日 | 平成26年11月26日(2014.11.26) |
| 発明の名称 （英語） | High-efficiency (B,Al,Ga,In)N group light-emitting diode by surface roughness treatment |
| 発明の概要（英語） |
The invention discloses a (B,Al,Ga,In)N group light-emitting diode (LED). Light is extracted through a nitrogen surface (N surface) (42) of the LED and the surface of the N surface is roughened into one or more hexagon conical surfaces. The roughened surface reduces the repeat occurrence of light reflection in the LED, so that more lights are extracted from the outer part of the LED. The surface of the N surface is roughened by anisotropic etching, and the etching comprises dry etching or photoinduced chemistry (PEC) etching. |
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| 国際特許分類(IPC) | |
| 参考情報 （研究プロジェクト等） | ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA |
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