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Compound material, method of producing the same and apparatus for producing the same

外国特許コード	F110004597
整理番号	N072-17WO
掲載日	2011年7月20日
出願国	中華人民共和国
出願番号	200980107159
公報番号	101960045
公報番号	101960045
出願日	平成21年3月2日(2009.3.2)
公報発行日	平成23年1月26日(2011.1.26)
公報発行日	平成28年5月18日(2016.5.18)
国際出願番号	JP2009053877
国際公開番号	WO2009110431
国際出願日	平成21年3月2日(2009.3.2)
国際公開日	平成21年9月11日(2009.9.11)
優先権データ	2009JP053877 (2009.3.2) WO 特願2008-057865 (2008.3.7) JP 特願2008-211238 (2008.8.19) JP
発明の名称（英語）	Compound material, method of producing the same and apparatus for producing the same
発明の概要（英語）	Proposed are a compound material having a high adhesiveness, wherein non-penetrating pores that are formed in a silicone surface layer are filled up with a metal or the like without leaving any voids by using the plating technique and the silicone surface layer is coated with a metal or the like, and a method of producing the compound material. A compound material, which has a high adhesiveness between a second metal or an alloy of the second metal (106a, 106b) and a silicone surface, can be obtained by filling up non-penetrating pores that are formed from the surface of a silicone baseboard (100) substantially with a second metal or an alloy (106a) of the second metal with the use of the autocatalytic electroless plating technique wherein a first metal located at the bottom of the non-penetrating pores as described above serves as the starting point, and coating the surface of the silicone baseboard (100) with the second metal (106b).
出願人（英語）	JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
発明者（英語）	SHINJI YAE TATSUYA HIRANO HITOSHI MATSUDA
国際特許分類(IPC)	H01L 21/28 Ｈ０１Ｌ２１／２０～Ｈ０１Ｌ２１／２６８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
参考情報（研究プロジェクト等）	CREST Development of Advanced Nanostructured Materials for Energy Conversion and Storage AREA

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発明の名称	複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置

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