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Magnetoresistive element and method of manufacturing the same

外国特許コード	F110004757
整理番号	K02012TW
掲載日	2011年7月21日
出願国	台湾
出願番号	94107444
公報番号	200531323
公報番号	I334663
出願日	平成17年3月11日(2005.3.11)
公報発行日	平成17年9月16日(2005.9.16)
公報発行日	平成22年12月11日(2010.12.11)
優先権データ	特願2004-071186 (2004.3.12) JP 特願2004-313350 (2004.10.28) JP
発明の名称（英語）	Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
出願人（英語）	JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
発明者（英語）	YUASA, SHINJI
国際特許分類(IPC)	H01L 43/08 磁界制御抵抗 G11C 11/16 記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの H01F 10/32 スピン変換連結の多層，例，極小構造の超格子 H01L 21/8246 リードオンリーメモリ構造（ＲＯＭ） H01L 27/105 電界効果構成部品を含むもの H01L 27/22 電流磁気効果，例．ホール効果，を利用した構成部品を含むもの；同様な磁界効果を利用するもの H01L 43/10 材料の選択 H01L 43/12 これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
参考情報（研究プロジェクト等）	PRESTO Nanostructure and Material Property AREA