Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition
| 外国特許コード | F110004800 |
|---|---|
| 整理番号 | E06723WO |
| 掲載日 | 2011年7月21日 |
| 出願国 | 大韓民国 |
| 出願番号 | 20087008498 |
| 公報番号 | 20080063766 |
| 公報番号 | 101347848 |
| 出願日 | 平成18年9月8日(2006.9.8) |
| 公報発行日 | 平成20年7月7日(2008.7.7) |
| 公報発行日 | 平成26年1月6日(2014.1.6) |
| 国際出願番号 | US2006035012 |
| 国際公開番号 | WO2007030709 |
| 国際出願日 | 平成18年9月8日(2006.9.8) |
| 国際公開日 | 平成19年3月15日(2007.3.15) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） |
Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition
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| 発明の概要（英語） | A method for growing a semi-polar nitride semiconductor thin film via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on a substrate, wherein a nitride nucleation or buffer layer is grown on the substrate prior to the growth of the semi-polar nitride semiconductor thin film. |
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| 国際特許分類(IPC) |
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| 参考情報 （研究プロジェクト等） | ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA |
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