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Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

外国特許コード	F110004800
整理番号	E06723WO
掲載日	2011年7月21日
出願国	大韓民国
出願番号	20087008498
公報番号	20080063766
公報番号	101347848
出願日	平成18年9月8日(2006.9.8)
公報発行日	平成20年7月7日(2008.7.7)
公報発行日	平成26年1月6日(2014.1.6)
国際出願番号	US2006035012
国際公開番号	WO2007030709
国際出願日	平成18年9月8日(2006.9.8)
国際公開日	平成19年3月15日(2007.3.15)
優先権データ	60/715,491P (2005.9.9) US 2006US035012 (2006.9.8) WO
発明の名称（英語）	Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition
発明の概要（英語）	A method for growing a semi-polar nitride semiconductor thin film via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on a substrate, wherein a nitride nucleation or buffer layer is grown on the substrate prior to the growth of the semi-polar nitride semiconductor thin film.
出願人（英語）	JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY UNIVERSITY OF CALIFORNIA
発明者（英語）	IZA MICHAEL BAKER TROY J HASKELL BENJAMIN A DENBAARS STEVEN P NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)	H01L 21/20 基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長 H01L 21/44 Ｈ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 H01L 33/12 応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層
参考情報（研究プロジェクト等）	ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA

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