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METHOD FOR FORMING CRYSTALLINE COBALT SILICIDE FILM

Foreign code F110004831
File No. E08605WO
Posted date Jul 22, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP073847
International publication number WO 2011/078399
Date of international filing Dec 22, 2010
Date of international publication Jun 30, 2011
Priority data
  • P2009-295450 (Dec 25, 2009) JP
Title METHOD FOR FORMING CRYSTALLINE COBALT SILICIDE FILM
Abstract Disclosed is a method for forming a crystalline cobalt silicide film, which is characterized in that a coating film is formed on a surface that is composed of silicon by applying a composition that is obtained by mixing a zero-valent cobalt complex and a compound represented by formula (1A) or (1B) or a polymer thereof, and the coating film is heated at 550-900 [RING ABOVE] C, thereby forming a two-layer film that is composed of a first layer and a second layer, and the second layer of the two-layer film is then removed therefrom. The first layer is composed of crystalline cobalt silicide and formed on the surface that is composed of silicon, while the second layer is formed on the first layer and contains silicon atoms, oxygen atoms, carbon atoms and cobalt atoms. SinX2n+2 (1A) SimX2m (1B) (In formulae (1A) and (1B), Xs each represents a hydrogen atom or a halogen atom; n represents an integer of 1-10; and m represents an integer of 3-10.)
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 シリコンからなる表面上に、下記式(1A)または(1B)
 SinX2n+2   (1A)
 SimX2m   (1B)
(式(1A)および(1B)中、Xは、それぞれ、水素原子またはハロゲン原子であり、nは1~10の整数であり、mは3~10の整数である。)
で表される化合物またはその重合体と、0価コバルト錯体とを混合して得られる組成物を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を550~900℃で加熱する工程を経ることにより、
シリコンからなる表面上の結晶性コバルトシリサイドからなる第一層と
該第一層上のシリコン原子、酸素原子、炭素原子およびコバルト原子を含有する第二層とからなる二層膜を形成し、そして
前記二層膜の前記第二層を除去することを特徴とする、結晶性コバルトシリサイド膜の形成方法。

【請求項2】 前記結晶性コバルトシリサイドが、コバルトシリサイドの単結晶である、請求項1に記載の方法。

【請求項3】 前記シリコンからなる表面が、シリコン基板の表面である、請求項1に記載の方法。

【請求項4】 前記シリコンからなる表面がその一部領域にシリコン酸化物の薄膜を有するものであり、形成される結晶性コバルトシリサイド膜がパターン状の結晶性コバルトシリサイド膜である、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。

【請求項5】 シリコンからなる表面上に、上記式(1A)または(1B)で表される化合物および0価コバルト錯体を混合して得られる組成物を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を550~900℃で加熱する工程を経ることを特徴とする、
シリコンからなる表面上の結晶性コバルトシリサイドからなる第一層と
該第一層上のシリコン原子、酸素原子、炭素原子およびコバルト原子を含有する第二層とからなる二層膜を形成する方法。

【請求項6】 前記結晶性コバルトシリサイドからなる第一層が、コバルトシリサイドの単結晶からなる層である、請求項5に記載の方法。

【請求項7】 前記シリコンからなる表面が、シリコン基板の表面である、請求項5に記載の方法。

【請求項8】 前記シリコンからなる表面がその一部領域にシリコン酸化物の薄膜を有するものであり、形成される二層膜がパターン状の二層膜である、請求項5~7のいずれか一項に記載の方法。

【請求項9】 請求項5~7のいずれか一項に記載の方法によって形成されたことを特徴とする、結晶性コバルトシリサイドからなる第一層と
該第一層上のシリコン原子、酸素原子、炭素原子およびコバルト原子を含有する第二層とからなる二層膜。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • JSR CORPORATION
  • Inventor
  • SHIMODA Tatsuya
  • MATSUKI Yasuo
  • KAWAJIRI Ryo
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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