SOLID ELECTROLYTE SWITCHING DEVICE, FPGA USING SAME,MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLIDELECTROLYTE SWITCHING DEVICE
| 外国特許コード | F110004950 |
|---|---|
| 整理番号 | B01-01WO |
| 掲載日 | 2011年7月27日 |
| 出願国 | 大韓民国 |
| 出願番号 | 20047017513 |
| 公報番号 | 20040111563 |
| 公報番号 | 1006764510000 |
| 出願日 | 平成16年10月29日(2004.10.29) |
| 公報発行日 | 平成16年12月31日(2004.12.31) |
| 公報発行日 | 平成19年1月24日(2007.1.24) |
| 国際出願番号 | PCT/JP2003/005393 |
| 国際公開番号 | WO2003/094227 |
| 国際出願日 | 平成15年4月25日(2003.4.25) |
| 国際公開日 | 平成15年11月13日(2003.11.13) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） | SOLID ELECTROLYTE SWITCHING DEVICE, FPGA USING SAME,MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLIDELECTROLYTE SWITCHING DEVICE |
| 発明の概要（英語） |
Solid electrolyte switching elements (10, 10' 20, 20') comprises the first interconnection layer (13) installed on the substrate (11) in which surface is covered with the insulating layer, and the ion supply layer (17) installed on the first interconnection layer (13), the solid electrolyte layer (16), installed on the ion supply layer (17) and the first interconnection layer (13), and the ion supply layer (17), and the interlayer dielectric layer (12) having the via hole which is installed in order to cover the solid electrolyte layer (16), and the opposite electrode layer (15), which is installed it through the via hole contacts in the solid electrolyte layer (16) and the second wiring layer (14) which is installed in order to cover the opposite electrode layer (15). The switching element having a low moreover, the resistance of on state it is the non-volatility on state, and the OFF-state can be arbitrarily set up as the threshold voltage applied between the ion supply layer (17) and opposite electrode layer (15) can be provided. The solid electrolyte switching element, the memory device, EPGA, the ion supply layer, the interlayer dielectric layer, the opposite electrode layer, the via hole, the sulfidation process . |
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| 国際特許分類(IPC) |
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| 参考情報 （研究プロジェクト等） | SORST Selected in Fiscal 2000 |
日本語項目の表示
| 発明の名称 | 固体電解質スイッチング素子及びそれを用いたＦＰＧＡ、メモリ素子、並びに固体電解質スイッチング素子の製造方法 |
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