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CURRENT INJECTION MAGNETIC DOMAIN WALL MOVING ELEMENT

外国特許コード	F110004952
整理番号	E07001WO
掲載日	2011年7月27日
出願国	大韓民国
出願番号	20067014303
公報番号	20070030741
公報番号	101122496
出願日	平成17年1月14日(2005.1.14)
公報発行日	平成19年3月16日(2007.3.16)
公報発行日	平成24年3月15日(2012.3.15)
優先権データ	特願2004-007514 (2004.1.15) JP
発明の名称（英語）	CURRENT INJECTION MAGNETIC DOMAIN WALL MOVING ELEMENT
出願人（英語）	Japan Science and Technology Agency
国際特許分類(IPC)	G11C 11/15 多層の磁性層を用いるもの G11C 11/16 記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの G11C 19/08 平板薄膜構造を用いるもの H01L 21/82 それぞれが複数の構成部品からなる装置，例．集積回路の製造 H01L 27/105 電界効果構成部品を含むもの H01L 27/22 電流磁気効果，例．ホール効果，を利用した構成部品を含むもの；同様な磁界効果を利用するもの H01L 43/06 ホール効果装置 H01L 43/08 磁界制御抵抗
参考情報（研究プロジェクト等）	ERATO OHNO Semiconductor Spintronics AREA