TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE
| 外国特許コード | F110004991 |
|---|---|
| 整理番号 | E06712KR1 |
| 掲載日 | 2011年8月2日 |
| 出願国 | 大韓民国 |
| 出願番号 | 20117007416 |
| 公報番号 | 20110044332 |
| 公報番号 | 101145753 |
| 出願日 | 平成18年3月10日(2006.3.10) |
| 公報発行日 | 平成23年4月28日(2011.4.28) |
| 公報発行日 | 平成24年5月16日(2012.5.16) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） |
TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE
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| 国際特許分類(IPC) |
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| 参考情報 （研究プロジェクト等） | ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA |
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