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TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり

外国特許コード F110004991
整理番号 E06712KR1
掲載日 2011年8月2日
出願国 大韓民国
出願番号 20117007416
公報番号 20110044332
公報番号 101145753
出願日 平成18年3月10日(2006.3.10)
公報発行日 平成23年4月28日(2011.4.28)
公報発行日 平成24年5月16日(2012.5.16)
優先権データ
  • 20050660283P (2005.3.10) US
発明の名称 （英語） TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり
  • 出願人（英語）
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者（英語）
  • BAKER TROY J,
  • HASKELL BENJAMIN A,
  • FINI PAUL T,
  • DENBAARS STEVEN P,
  • SPECK JAMES S,
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 （研究プロジェクト等） ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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関連情報

国内特許
公報 20110044332(PDF,658KB) PDF
公報 101145753(PDF,703KB) PDF
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