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METHOD FOR FORMING PATTERNED CONDUCTIVE FILM

外国特許コード F110005012
整理番号 E08606WO
掲載日 2011年8月10日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2011JP052185
国際公開番号 WO 2011/093515
国際出願日 平成23年1月26日(2011.1.26)
国際公開日 平成23年8月4日(2011.8.4)
優先権データ
  • 特願2010-016674 (2010.1.28) JP
発明の名称 (英語) METHOD FOR FORMING PATTERNED CONDUCTIVE FILM
発明の概要(英語) Disclosed is a method for forming a patterned conductive film, which is characterized by comprising a step wherein a substrate that is provided with a patterned layer composed of platinum microcrystal particles is brought into contact with a complex of an amine compound and aluminum hydride at a temperature of 50-120 [RING ABOVE] C. By this method, a patterned conductive film which can secure an electrical connection with a substrate and is suitable for use in various electronic devices can be formed by a simple procedure without requiring large and heavy equipment.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • JSR CORPORATION
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA Tatsuya
  • MATSUKI Yasuo
  • SHEN Zhongrong
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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