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METHOD FOR FORMING PATTERNED CONDUCTIVE FILM

Foreign code F110005012
File No. E08606WO
Posted date Aug 10, 2011
Country WIPO
International application number 2011JP052185
International publication number WO 2011/093515
Date of international filing Jan 26, 2011
Date of international publication Aug 4, 2011
Priority data
  • P2010-016674 (Jan 28, 2010) JP
Title METHOD FOR FORMING PATTERNED CONDUCTIVE FILM
Abstract Disclosed is a method for forming a patterned conductive film, which is characterized by comprising a step wherein a substrate that is provided with a patterned layer composed of platinum microcrystal particles is brought into contact with a complex of an amine compound and aluminum hydride at a temperature of 50-120 [RING ABOVE] C. By this method, a patterned conductive film which can secure an electrical connection with a substrate and is suitable for use in various electronic devices can be formed by a simple procedure without requiring large and heavy equipment.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を、アミン化合物および水素化アルミニウムの錯体と50~120℃の温度において接触させる工程を経ることを特徴とする、パターン状導電性膜の形成方法。

【請求項2】 上記プラチナ微結晶粒子の平均粒径が15nm以下である、請求項1に記載のパターン状導電性膜の形成方法。

【請求項3】 上記プラチナ微結晶粒子が、
プラチナ錯化合物と
酸と
炭素数2~12の1級アルコールと
親水性ポリマーと
を、極性溶媒中で接触させて得られた結晶性プラチナキューブである、請求項1に記載のパターン状導電性膜の形成方法。

【請求項4】 請求項1~3のいずれか一項に記載のパターン状導電性膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする、パターン状導電性膜。

【請求項5】 上記導電性膜が、
基板上に形成されたプラチナ微結晶粒子からなる第1層と、
該第1層上に形成されたアルミニウムからなる第2層と
からなる2層膜である、請求項4に記載のパターン状導電性膜。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • JSR CORPORATION
  • Inventor
  • SHIMODA Tatsuya
  • MATSUKI Yasuo
  • SHEN Zhongrong
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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