Top > Search of International Patents > PROCESS FOR PRODUCTION OF SELECTIVELY CHEMICALLY MODIFIED CARBON NANO-TUBE

PROCESS FOR PRODUCTION OF SELECTIVELY CHEMICALLY MODIFIED CARBON NANO-TUBE commons meetings

Foreign code F110005016
File No. K02915WO
Posted date Aug 17, 2011
Country WIPO
International application number 2011JP051817
International publication number WO 2011/096342
Date of international filing Jan 28, 2011
Date of international publication Aug 11, 2011
Priority data
  • P2010-023553 (Feb 4, 2010) JP
Title PROCESS FOR PRODUCTION OF SELECTIVELY CHEMICALLY MODIFIED CARBON NANO-TUBE commons meetings
Abstract Disclosed is a novel method for achieving the selective molecular conversion of a carbon nano-tube raw material comprising a mixture of metallic carbon nano-tubes and semiconductive carbon nano-tubes based on the electrical properties or particle diameters of the carbon nano-tubes. The method is characterized by allowing a carbon nano-tube raw material comprising a mixture of metallic carbon nano-tubes and semiconductive carbon nano-tubes and a disulfide represented by formula (I) or a sulfide represented by formula (II) (wherein R1 and R2 independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent) to exist in an organic solvent to thereby cause the photoreaction between the disulfide represented by formula (I) or the sulfide represented by formula (II) with the carbon nano-tubes, thereby chemically modifying the metallic carbon nano-tubes selectively or chemically modifying the carbon nano-tubes in a diameter-selective manner.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと下記式(I)または式(II)
【化学式1】
【化学式2】
(式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。)で表されるジスルフィドまたはスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式(I)で表されるジスルフィドまたは式(II)で表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、金属性のカーボンナノチューブを選択的に化学修飾することを特徴とする選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項2】 置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、飽和脂肪族炭化水素基、または脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項1に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項3】 置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1-C40アルコキシ基、C2-C40アルコキシカルボニル基、C6-C10アリールオキシ基、およびC2-C40アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC6-C20芳香族炭化水素基、または、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1-C6アルコキシ基、C2-C6アルコキシカルボニル基、C6-C10アリールオキシ基、およびC2-C8アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC1-C40飽和脂肪族炭化水素基もしくはC3-C40脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項2に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項4】 有機溶媒としてテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジエチルエーテル、ベンゼン、ヘキサン、またはシクロヘキサンを用いることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項5】 金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと下記式(I)または式(II)
【化学式1】
【化学式2】
(式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。)で表されるジスルフィドまたはスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式(I)で表されるジスルフィドまたは式(II)で表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、カーボンナノチューブを直径選択的に化学修飾することを特徴とする選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項6】 置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、飽和脂肪族炭化水素基、または脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項5に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。
の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項7】 置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1-C40アルコキシ基、C2-C40アルコキシカルボニル基、C6-C10アリールオキシ基、およびC2-C40アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC6-C20芳香族炭化水素基、または、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1-C6アルコキシ基、C2-C6アルコキシカルボニル基、C6-C10アリールオキシ基、およびC2-C8アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC1-C40飽和脂肪族炭化水素基もしくはC3-C40脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項6に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。

【請求項8】 有機溶媒としてトルエンまたはキシレンを用いることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • MAEDA Yutaka
  • AKASAKA Takeshi
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) PRESTO Search for nanomanufacturing technology and its development AREA
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close