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MAGNETIC LEVITATION CONTROL DEVICE AND HYBRID TYPE MAGNETIC BEARING meetings

Foreign code F110005439
File No. S2009-0784-C0
Posted date Sep 6, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP004512
International publication number WO 2011/007544
Date of international filing Jul 12, 2010
Date of international publication Jan 20, 2011
Priority data
  • P2009-167937 (Jul 16, 2009) JP
Title MAGNETIC LEVITATION CONTROL DEVICE AND HYBRID TYPE MAGNETIC BEARING meetings
Abstract A bias magnetic flux (10) is formed in such a way as to pass through an electromagnetic core (1) of an electromagnet (20), and furthermore, a bypass magnetic path (9A) constituting a magnetic path for a control magnetic flux (9) is formed in parallel with a permanent magnet (6), with the result that a bypass magnetic path (9A) is magnetized in such a direction as to prevent the passage of the bias magnetic flux (10). Due to this arrangement, even if the permanent magnet (6) and the electromagnet (20) are installed in positions where the magnetic flux of the permanent magnet (6) and that of the electromagnet (20) are mutually superimposed on each other, still the control magnetic flux (9) formed by the electromagnet (20) passes through the bypass magnetic path (9A), thereby permitting the loss of the control magnetic flux (9) to be curbed. By virtue of the above, it is possible to install the permanent magnet (6) and the electromagnet (20) in positions where the magnetic flux of the permanent magnet (6) and that of the electromagnet (20) are mutually superimposed on each other, leading to miniaturization of the pertinent device.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 バイアス用永久磁石によって形成されるバイアス磁束と、電磁石によって形成される制御磁束とによって前記電磁石に対する磁気浮上対象物の位置を制御する磁気浮上制御装置であって、
 前記バイアス磁束が前記電磁石の電磁石コアを通るように形成されると共に、
 前記制御磁束の磁路となるバイパス磁路が前記バイアス用永久磁石と並列に形成されており、
 該バイパス磁路が前記バイアス磁束の通過を阻止する方向に磁化されていることを特徴とする磁気浮上制御装置。

【請求項2】 前記バイパス磁路が永久磁石と磁性体とで構成され、前記バイパス磁路の永久磁石によって形成される磁束が前記バイアス磁束として機能することを特徴とする請求項1記載の磁気浮上制御装置。

【請求項3】 前記バイアス用永久磁石および前記バイパス磁路が前記磁気浮上対象物に設けられていることを特徴とする請求項2記載の磁気浮上制御装置。

【請求項4】 前記電磁石を磁極となる2つの突極が前記磁気浮上対象物に対向するように配置させ、
 前記バイアス用永久磁石を磁極が前記磁気浮上対象物の前記電磁石との対向面と平行になるように配置させ、
 前記バイパス磁路の永久磁石を磁極が前記磁気浮上対象物の前記電磁石との対向面と垂直になるように配置させることを特徴とする請求項3記載の磁気浮上制御装置。

【請求項5】 前記バイパス磁路の永久磁石として、2つの永久磁石が前記電磁石の2つの突極に対向してそれぞれ設けられ、2つの永久磁石の磁力は、前記電磁石の2つの突極と前記磁気浮上対象物とのそれぞれ間隙の磁束密度が同一になるように設定されていることを特徴とする請求項4記載の磁気浮上制御装置。

【請求項6】 前記バイアス用永久磁石および前記バイパス磁路が前記電磁石に設けられていることを特徴とする請求項2記載の磁気浮上制御装置。

【請求項7】 バイアス用永久磁石によって形成されるバイアス磁束と、電磁石によって形成される制御磁束とによって前記電磁石に対する磁気浮上ロータの位置を制御するハイブリッド型磁気軸受けであって、
 前記バイアス磁束が前記電磁石の電磁石コアを通るように形成されると共に、
 前記制御磁束の磁路となるバイパス磁路が前記バイアス用永久磁石と並列に形成されており、
 該バイパス磁路が前記バイアス磁束の通過を阻止する方向に磁化されていることを特徴とするハイブリッド型磁気軸受け。

【請求項8】 前記バイパス磁路が永久磁石と磁性体とで構成され、前記バイパスの永久磁石によって形成される磁束が前記バイアス磁束として機能することを特徴とする請求項7記載のハイブリッド型磁気軸受け。

【請求項9】 径方向に着磁されて円環状に配置されている前記バイアス用永久磁石と、当該バイアス用永久磁石の各磁極を接続する前記バイパス磁路とが前記磁気浮上ロータに設けられ、
 前記電磁石は、磁極となる2つの突極が前記磁気浮上ロータに軸方向から対向するように配置され、前記電磁石によって前記磁気浮上ロータの軸方向の位置を制御させることを特徴とする請求項8記載のハイブリッド型磁気軸受け。

【請求項10】 前記バイパス磁路の永久磁石として、前記磁気浮上ロータの軸方向に着磁されて円環状に配置されている永久磁石が設けられていることを特徴とする請求項9記載のハイブリッド型磁気軸受け。

【請求項11】 前記バイパス磁路の永久磁石として、2つの永久磁石が前記電磁石の2つの突極に対向してそれぞれ設けられ、2つの永久磁石の磁力は、前記電磁石の2つの突極と前記磁気浮上対象物とのそれぞれ間隙の磁束密度が同一になるように設定されていることを特徴とする請求項10記載のハイブリッド型磁気軸受け。

【請求項12】 前記バイアス用永久磁石および前記バイパス磁路が前記電磁石に設けられていることを特徴とする請求項8記載のハイブリッド型磁気軸受け。

【請求項13】 軸方向に着磁された円筒状の前記バイアス用永久磁石と、当該バイアス用永久磁石の各磁極を接続する前記バイパス磁路とが前記磁気浮上ロータに設けられ、
 前記電磁石は、磁極となる2つの突極が前記磁気浮上ロータに径方向から対向するように配置され、前記電磁石によって前記磁気浮上ロータの径方向の位置を制御させることを特徴とする請求項8記載のハイブリッド型磁気軸受け。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • IBARAKI UNIVERSITY
  • Inventor
  • MASUZAWA, Toru
  • SASAKI, Eisuke
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
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