Pattern formation method, pattern, and device
| 外国特許コード | F110005912 |
|---|---|
| 整理番号 | E08604TW |
| 掲載日 | 2011年11月9日 |
| 出願国 | 台湾 |
| 出願番号 | 99111081 |
| 公報番号 | 201109159 |
| 出願日 | 平成22年4月9日(2010.4.9) |
| 公報発行日 | 平成23年3月16日(2011.3.16) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） | Pattern formation method, pattern, and device |
| 発明の概要（英語） |
Disclosed is a pattern formation method comprising: a first step of arranging at least one silane compound selected from the group consisting of silicon hydride compounds and silicon halide compounds in a gap formed between a substrate and a pattern-shaped mold and a second step of applying at least one treatment selected from a heat treatment and an ultraviolet ray radiation treatment to the arranged silane compound. When the second step is carried out under an inert atmosphere or a reductive atmosphere, a pattern comprising silicon can be formed. When at least a part of the second step is carried out under an oxygen-containing atmosphere, a pattern comprising a silicon oxide can be formed. |
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| 国際特許分類(IPC) |
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| 参考情報 （研究プロジェクト等） | ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA |
日本語項目の表示
| 発明の名称 | パターンの形成方法 |
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『 Pattern formation method, pattern, and device 』に関するお問合せ
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