ELECTRIC FIELD EMISSION ELEMENT
外国特許コード | F120006148 |
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整理番号 | S2010-0151-C0 |
掲載日 | 2012年1月12日 |
出願国 | 世界知的所有権機関(WIPO) |
国際出願番号 | 2010JP070416 |
国際公開番号 | WO 2011/059103 |
国際出願日 | 平成22年11月10日(2010.11.10) |
国際公開日 | 平成23年5月19日(2011.5.19) |
優先権データ |
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発明の名称 (英語) | ELECTRIC FIELD EMISSION ELEMENT |
発明の概要(英語) | Provided is an electric field emission element, wherein the causes of spherical aberration in relation to an emitted electron beam orbit are fundamentally eliminated or alleviated. An aberration suppression electrode (31) is disposed at a lower position, in terms of height, than an extraction gate electrode (13) such that the inner peripheral edge (31e) of the opening of the aberration suppression electrode (31) is disposed close to an emitter tip (11tp). The position of the inner peripheral edge (31e) of the opening of the aberration suppression electrode (31) is lower, in terms of height, than the position of the emitter tip (11tp). An aberration suppression voltage (Vs) which is a voltage lower than the electric potential of the emitter (11), and which controls the equipotential line near the emitter tip (11tp) in a manner such that the equipotential line becomes parallel, is applied to the aberration suppression electrode (31). |
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国際特許分類(IPC) |
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指定国 | AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM) |
日本語項目の表示
発明の名称 | 電界放出素子 |
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発明の概要 | 電界放出素子において、放出される電子ビーム軌道に関し、球面収差要因を根本的な所から排除ないし軽減する。引き出しゲート電極13よりも低い高さ位置で、エミッタ先端11tpに近い位置に開口内周縁31eを臨ませる収差抑制電極31を設ける。収差抑制電極31の開口内周縁31eの高さ位置はエミッタ先端11tpの高さ位置よりも低くする。収差抑制電極31には、エミッタ11の電位よりも低い電圧であって、エミッタ先端11tp近傍の等電位線を平行にするべく制御する収差抑制電圧Vspを印加する。 |
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