PROCESSING METHOD

外国特許コード	F120006164
整理番号	09058PC
掲載日	2012年1月30日
出願国	世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号	2011JP056597
国際公開番号	WO 2011/118532
国際出願日	平成23年3月18日(2011.3.18)
国際公開日	平成23年9月29日(2011.9.29)
優先権データ	特願2010-068021 (2010.3.24) JP
発明の名称 （英語）	PROCESSING METHOD
発明の概要（英語）	Disclosed is a processing method which can achieve a high processing rate, and is capable of making a surface smooth. In order to achieve this an SiC substrate (8) is arranged in a potassium hydroxide solution (2) containing hydrogen peroxide, and ultraviolent radiation is irradiated on the surface of the SiC substrate (8). An SiO2 layer (9) is formed on the surface of the SiC substrate (8) due to the irradiation of ultraviolet radiation, and this SiO2 layer (9) is chemically removed by means of the potassium hydroxide solution, and also removed by a synthetic quartz surface plate (3a).
出願人（英語） ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KUMAMOTO UNIVERSITY
発明者（英語）	KUBOTA Akihisa TOUGE Mutsumi
国際特許分類(IPC)	H01L  21/306     化学的または電気的処理，例．電解エッチング B24B   1/00      研削方法または研磨方法；その方法と関連づけられた補助装置の使用 H01L  21/304     機械的処理，例．研摩，ポリシング，切断