PROCESSING METHOD
外国特許コード | F120006164 |
---|---|
整理番号 | 09058PC |
掲載日 | 2012年1月30日 |
出願国 | 世界知的所有権機関(WIPO) |
国際出願番号 | 2011JP056597 |
国際公開番号 | WO 2011/118532 |
国際出願日 | 平成23年3月18日(2011.3.18) |
国際公開日 | 平成23年9月29日(2011.9.29) |
優先権データ |
|
発明の名称 (英語) |
PROCESSING METHOD
|
発明の概要(英語) | Disclosed is a processing method which can achieve a high processing rate, and is capable of making a surface smooth. In order to achieve this an SiC substrate (8) is arranged in a potassium hydroxide solution (2) containing hydrogen peroxide, and ultraviolent radiation is irradiated on the surface of the SiC substrate (8). An SiO2 layer (9) is formed on the surface of the SiC substrate (8) due to the irradiation of ultraviolet radiation, and this SiO2 layer (9) is chemically removed by means of the potassium hydroxide solution, and also removed by a synthetic quartz surface plate (3a). |
|
|
|
|
国際特許分類(IPC) |
|
日本語項目の表示
発明の名称 |
加工方法
|
---|---|
発明の概要 | 高い加工レートを実現できると共に、表面の平滑化が可能な加工方法を提供することを目的とする。こうした目的を達成するために、過酸化水素水を含んだ水酸化カリウム溶液2中にSiC基板8を配置し、SiC基板8の表面に紫外光を照射する。紫外光の照射によってSiC基板8の表面に形成されたSiO2層9を水酸化カリウム溶液によって化学的に除去すると共に、合成石英定盤3aによってもSiO2層9を除去する。 |
|
|
※
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記「問合せ先」まで直接ご連絡ください。
『 PROCESSING METHOD 』に関するお問合せ
- 国立大学法人 熊本大学 マーケティング推進部 産学連携ユニット
- URL: https://www.kumamoto-u.ac.jp/kenkyuu_sangakurenkei
-
E-mail:
- Address: 〒860-8555 熊本県熊本市黒髪2-39-1
- TEL: 096-342-3277
- FAX: 096-342-3239